冯云光
,
石维
,
樊丽娟
,
祝亚
材料导报
如何提高无铅压电陶瓷的压电性能是当前国内外压电铁电材料研究的前沿和热点之一.在归纳和分析锆钛酸铅陶瓷高性能起因的基础上,结合近年有关高性能钛酸钡基无铅压电陶瓷的报道,着重对钛酸钡基陶瓷高压电性能的物理机制的研发进展进行评价,以期为高性能无铅压电陶瓷材料的设计和开发提供依据.
关键词:
无铅压电陶瓷
,
钛酸钡
,
压电性能
,
物理机制
祝亚
,
黄伟其
,
刘世荣
,
祖恩东
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2003.03.020
我们在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和二维的纳米结构样品,用高精度椭偏仪(HPE)、卢瑟福背散射谱仪(RBS)和高分辨率扫描透射电子显微镜(HR-STEM)测量样品的纳米结构,并采用美国威思康新州立大学开发的Rump模拟软件对卢瑟福背散射谱(RBS)中的CHANNEL谱和RANDOM谱分别进行精细结构模拟,测量并计算出纳米氧化层与锗的纳米薄膜结构分布,并且反馈控制加工过程,优化硅锗半导体材料纳米结构样品的加工条件.我们测量出样品横断面锗纳米团簇和纳米层的PL发光谱.我们在硅锗合金的氧化层表面中首次发现纳米锗量子点组成的几个纳米厚的盖帽膜结构,我们首次提出的生成硅锗纳米结构的优化加工条件的氧化时间和氧化温度匹配公式的理论模型与实验结果拟合得很好.
关键词:
纳米团簇
,
纳米层
,
硅锗合金
