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先位粉末套管法制备MgB2/Fe线材的超导性能研究

王栋樑 , 张现平 , 高召顺 , 禹争光 , 马衍伟 , 闻海虎 , 郭建栋

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2007.02.006

采用先位法将MgB2粉装入纯铁管中,制备出MgB2/Fe超导线材.用X射线衍射仪和扫描电子显微镜分析了样品的物相组成和显微结构;用SQUID测量了样品的超导转变温度;用标准四引线法测量了短样的临界电流.结果显示,超导样品的临界转变温度约为38.3 K,在4.2 K/4 T下MgB2/Fe线材的临界电流密度为~104A/cm2.研究结果表明,高温退火有效地减少了冷加工过程中产生的应力,改善了晶粒连接性,提高了芯材的致密度,可以显著地提高先位法制备线材的临界电流密度.

关键词: MgB2 , 超导线材 , 先位法 , 粉末套管法 , 临界电流密度

ZnO压敏电阻界面导电特性研究

禹争光 , 杨邦朝

功能材料

采用相同的工艺制备ZnO压敏电阻和未掺杂ZnO陶瓷片后,用扫描电镜(SEM)、电阻率计和X射线光电子能谱(XPS)对它们形貌、电阻率、界面化学计量比和电子状态进行了研究.实验发现:未掺杂ZnO晶粒粒径小于10μm且均匀性差;ZnO电阻率对烧结气氛敏感,其值在2.36~47.97Ω·cm之间,界面存在非化学计量氧锌比,O/Zn=1.29.掺杂后,ZnO压敏电阻界面价电子峰减小,证实压敏电阻陷阱态的存在,表明需用载流子陷阱态补充双肖特基势垒模型.

关键词: 氧化锌压敏电阻 , 纯氧化锌陶瓷 , 光电子能谱 , 非化学计量 , 陷阱态

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