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微型NiFe磁性薄膜元件中Neel畴壁极性的转变过程

余晋岳 , 朱军 , 周狄 , 禹金强 , 俞爱斌 , 蔡炳初 , 魏福林

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2000.04.006

观察和分析了300 μm×40 μm×40 nm的NiFe磁性薄膜元件在难轴方向反磁化时磁畴结构转变,特别是Neel畴壁从正极性壁(N+)转变为负极性壁(N-)的全过程.磁畴结构的转变包含畴壁合并、封闭畴转变、钩形畴转变及Neel畴壁极性转变等不可逆因素.对畴壁极性转变的两种方式(即N+→N-直接转变及经由十字壁(Nct)的N+→Nct→N-间接转变)进行了分析讨论.N-往往在元件末端新生封闭畴和正极性主畴壁的连结点成核,然后向中间扩展.N+→Nct的转变是通过N+壁的数次分裂来实现的.

关键词: 磁性薄膜元件 , 反磁化 , 磁畴 , Neel畴壁

不同结构多层膜中巨磁阻抗效应的研究

禹金强 , 周勇 , 蔡炳初 , 赵小林

功能材料

研究了封闭式和开放式FeSiB/Cu/FeSiB多层膜以及Cu/FeSiB/Cu多层膜中的巨磁阻抗效应.实验结果表明:多层膜的不同结构对巨磁阻抗效应影响很大.改变外加磁场,封闭式FeSiB/Cu/FeSiB多层膜中阻抗变化最大,开放式FeSiB/Cu/FeSiB多层膜次之,而Cu/FeSiB/Cu多层膜中阻抗几乎不变.三组多层膜中不同的阻抗特征可用多层膜的具体结构解释:在封闭式多层膜内,磁路形成密封结构,使泄漏到多层膜外面空间的磁通大大减少;在Cu/FeSiB/Cu多层膜中,上下两铜层在铁磁薄膜内产生的总磁场近似为零,外加磁场的改变不能引起其阻抗发生变化.对于封闭式FeSiB/Cu/FeSiB多层膜,在100kHz到1MHz时就能够出现较大的阻抗变化比值,最大阻抗变化比值出现在3MHz.开放式FeSiB/Cu/FeSiB多层膜阻抗特性与封闭式类似,但比值只是封闭式多层膜的1/3.

关键词: 多层膜 , 巨磁阻抗效应 , 研究

铁磁层/导电层/铁磁层多层膜中巨磁阻抗效应理论*

禹金强 , 周勇 , 蔡炳初 , 徐东

功能材料

采用经典电磁理论,对铁磁层/导电层/铁磁层(M/C/M)多层膜中出现的巨磁阻抗效应进行了理论分析.对于单轴横向磁各向异性多层膜,理论计算结果表明:高频阻抗在某一外加磁场(近似等于等效各向异性场)下出现最大值,铁磁层和导电层电阻率相差较大的多层膜中将出现较强的巨磁阻抗效应.多层膜在1MHz附近即可出现远大于单层膜的阻抗变化比.多层膜理论计算与实验结果能够较好地符合.

关键词: 巨磁阻抗效应 , 多层膜 , 横向磁各向异性

Ti-55合金中的热塑剪切带

禹金强 , 沈乐天 , 周惠华 , 徐永波 , 白以龙

金属学报

研究了三种不同处理的Ti-55合金在Hopkinson压杆上高速冲击变形时产生的热塑剪切带. 结果表明, 三种不同处理的合金试样在不同应变率下出现两类型剪切带:形变剪切带和“白色”剪切带, 它们是在不同应变阶段下形成的, 对应“白色”剪切带有一应变突变. TEM观察未发现“白色”剪切的内发生相变. 孪生是该合金动态冲击时变形的重要方式.

关键词: 剪切带 , null , null , null

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