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Sol-Gel工艺Si基Bi4 Ti3 O12铁电薄膜制备与晶相结构研究

王华 , 于军 , 王耘波 , 秦冬成

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2002.04.009

采用Sol-Gel工艺制备了Si基Bi4TiO12铁电薄膜.研究了退火温度、退火时间、薄膜厚度等对薄膜晶相结构的影响.研究表明,退火温度对Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜晶相结构的影响最为显著,而且随退火温度升高,Bi4Ti3O12薄膜更趋向于沿c-轴取向的生长;退火时间在30分钟内对薄膜晶相结构的影响比较明显;薄膜厚度及30分钟以上的退火处理对薄膜晶相结构的影响不大.

关键词: Sol-Gel法 , 铁电薄膜 , 晶相结构 , 制备工艺