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在p-Si(100)上溅射法生长ZnO的结构和光学特性

姚振钰 , 贺洪波 , 柴春林 , 刘志凯 , 杨少延 , 张建辉 , 廖梅勇 , 范正修 , 秦复光 , 王占国 , 林兰英

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.010

室温下在p-Si(100)上采用直流反应磁控溅射法外延生长了ZnO薄膜.XRD测量表明了ZnO是高度c轴单一取向生长的,XRC测量则表明了ZnO的高质量.在室温下的PL测量中见到了带边发射,其强度与晶体质量有关.

关键词: 磁控溅射 , ZnO薄膜 , Si衬底