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纳晶硅氧化层中的陷阱态

黄伟其 , 秦朝建 , 许丽 , 吴克跃

材料科学与工程学报

由Si-H键钝化的多孔硅的光致荧光(PL)发光频移遵循量子受限效应,随着纳米结构尺寸的变小PL发光频率从红外蓝移到紫外.多孔硅被氧化后,PL发光带的中心波长被钉扎在700nm～750nm范围,且强度明显增加.计算表明,氧化后的Si=O键或Si-O-Si键能在展宽的导带下方形成电子陷阱态.由此提出量子...

关键词: 光致荧光 , 多孔硅氧化 , 钉扎和增强效应 , 电子陷阱态