宋世巍
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秦福文
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吴爱民
,
何欢
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王叶安
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姜辛
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徐茵
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顾彪
功能材料
利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出Mn含量约为3%的(Ga,Mn)稀磁半导体薄膜.利用反射高能衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)表征(Ga,Mn)N薄膜的表面形貌和结构特征.(Ga,Mn)N薄膜具有良好的(0002)择优取向和纤锌矿结构,表面形貌是由许多亚微米量级的晶粒按一致的取向规则堆砌而成.光致发光(PL)测量发现3.27eV附近出现施主-受主对(DAP)发光峰.超导量子干涉仪(SQUID)测量表明薄膜在室温下具有铁磁性,没有发现超顺磁性和自旋玻璃态,居里温度可达400K.
关键词:
(Ga,Mn)N
,
ECR-PEMOCVD
,
室温铁磁性
,
居里温度
张志坤
,
章俞之
,
边继明
,
孙景昌
,
秦福文
,
刘维峰
,
骆英民
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2013.13273
本研究成功地在石墨衬底上制备了低维ZnO材料,即一维的ZnO纳米棒和二维的ZnO薄膜.采用X射线衍射、场发射扫描电镜、光致发光谱和反射谱等测量技术对石墨衬底上制备的低维ZnO纳米材料的晶体结构、形貌和光学特性进行了表征.结果发现在室温条件下,准一维的ZnO纳米棒和二维的ZnO薄膜都表现出了较好的近带边发射,基本探测不到由杂质和缺陷等引起的深能级发光,并且这种低维ZnO材料/石墨衬底复合结构在300～800 nm光谱范围内具有较低的反射率.本实验结果对于ZnO基光电子器件性能的提高以及在太阳能电池领域的应用具有重要意义.
关键词:
ZnO
,
石墨
,
光致发光
,
高功率光电子器件
顾彪
,
徐茵
,
秦福文
,
丛吉远
,
张砚臣
,
孙捷
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.02.016
研究了以 (001) GaAs为衬底的用ECR-PAMOCVD法生长的立方GaN薄膜的主要性质, 阐述了实验过程与生长用设备. 在生长过程中, 衬底温度约为600℃, 反应器内压力约0.4 Pa.
关键词:
立方GaN
,
低温生长
,
活化氮源
,
ECR-PAMOCVD
陈伟绩
,
秦福文
,
吴爱民
,
王文彦
功能材料
采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法,在康宁7101型普通玻璃衬底上低温沉积氮化镓(GaN)薄膜.利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和霍尔测量系统检测样品,研究了衬底氮化时间对GaN薄膜质量的影响.结果表明,氮化时间为5min时,得到的GaN薄膜呈高度c轴择优取向,结晶性较好,薄膜表面是由许多亚微米量级的表面岛按一致的取向规则堆砌而成的,薄膜表面较为平整且呈n型导电;氮化时间增加,薄膜结晶性反而变差.
关键词:
GaN
,
氮化
,
ECR-PEMOCVD
,
玻璃衬底
杨智慧
,
秦福文
,
吴爱民
,
宋世巍
,
刘胜芳
,
陈伟绩
人工晶体学报
利用射频磁控溅射在普通玻璃上制备了(0002)择优取向的ZnO:Al薄膜.采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在ZnO:Al薄膜衬底上沉积了厚度为320 nm的GaN薄膜.利用高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和光透射谱等表征方法,研究了沉积温度对GaN薄膜的结晶性、表面形貌和透射率的影响.
关键词:
掺铝氧化锌衬底
,
GaN薄膜
,
低温生长
王三胜
,
顾彪
,
徐茵
,
秦福文
,
窦宝锋
,
杨大智
材料导报
GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大和介电常数小等特点,在高亮度发光二极管、短波长激光二板管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景.介绍了GaN基半导体材料的制备方法,异质结构以及在光电子和微电子器件领域的应用,并讨论了今后的发展趋势.
关键词:
GaN
,
外延生长
,
掺杂
,
半导体器件
