李东翔
,
秦秀波
,
李玉晓
,
赵博震
,
曹兴忠
,
王宝义
材料导报
综述了TiO2的基本性质,并对稀磁半导体中磁性起源的理论模型做了简单分析,同时还重点以薄膜和晶体类型的TiO2为阐述对象,讨论了过渡金属掺杂、非磁性元素掺杂和未掺杂TiO2对于探究铁磁性起源的优缺点,其中未掺杂TiO2的常温铁磁性起源与氧空位之间的关系是今后需要解决的重要问题.
关键词:
掺杂
,
常温铁磁性
,
氧空位
,
d0磁性
余运波
,
赵娇娇
,
韩雪
,
张燕
,
秦秀波
,
王宝义
催化学报
doi:10.1016/S1872-2067(11)60484-1
采用沉淀法制备了Co3O4,考察了焙烧和预处理条件对其结构、低温催化氧化CO性能的影响.热重分析表明,未经焙烧的样品以Co(OH)2CO3的形式存在,150～400℃空气气氛中焙烧后,样品以立方相Co3O4的形式存在.N2吸附-脱附法、X射线衍射、透射电镜及活性测试结果表明,以纳米颗粒物存在的Co3O4的比表面积、颗粒尺寸、催化氧化CO活性与焙烧温度密切相关.正电子湮没寿命谱、O2-程序升温脱附与定温条件下CO氧化测试结果表明,合适温度(150～250℃)下N2预处理有利于Co3O4表面氧空穴团的形成,它在吸附活化分子氧以及CO催化氧化反应中起到关键作用.同时讨论了预处理作用下Co3O4表面氧空穴的再构机制.
关键词:
四氧化三钴
,
焙烧
,
预处理
,
氧空穴
,
一氧化碳氧化
王博宇
,
向伟
,
谈效华
,
戴晶怡
,
程亮
,
秦秀波
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2010.00017
在加速器上,利用不同能量的D+离子束对Ti膜进行连续辐照,利用慢正电子湮没技术和SEM对束流辐照前后Ti膜进行表征.结果表明,D+离子束对Ti膜造成辐照损伤,随D+离子束能量增大,辐照损伤的程度加重;辐照损伤最大值在0.3μm处;D+离子束对Ti膜表面造成不同程度的烧蚀,随D+离子束能量增加,膜表面烧蚀程度增加,膜表面几何不均匀性导致膜表面出现选择性烧蚀.数值计算表明,随能量增加,D+离子在Ti膜中的能量沉积增大,这与SEM观测结果相符.
关键词:
D+
,
Ti膜
,
慢正电子湮没技术
胡辰
,
刘书萍
,
冯召东
,
秦秀波
,
石云
,
潘裕柏
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150046
采用固相反应法结合真空烧结技术制备了具有高光学质量高闪烁效率的(Lu, Ce, Mg)3Al5O12(LuAG：0.3at% Ce,0.2at% Mg)闪烁陶瓷。将20 mm×20 mm×0.05 mm的陶瓷薄片用含有石墨粉的硅胶粘接在尺寸为25 mm×25 mm×4 mm的石墨基底上,再激光加工切割成50μm×50μm、间距10μm的正方形阵列,进行X射线平板探测器成像研究,并分别采用铅线对卡法和刀口法对陶瓷闪烁探测器的成像质量进行表征。结果表明：陶瓷闪烁体制备的平板探测器成像清晰锐利,铅线对卡法测试激光切割样品10 lp/mm下MTF可达17.5%。刀口法测试激光切割样品MTF为10%时,分辨率可达9 lp/mm。该闪烁陶瓷具有在平板探测器上应用的潜力。
关键词:
LuAG:Ce,Mg
,
闪烁陶瓷
,
平板探测器
,
X射线成像
