黄兴
,
贺国珠
,
程品晶
,
张奇纬
,
周祖英
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.32.02.208
用γ射线全吸收型装置(Gamma-ray Total Absorption Facility，GTAF)，可以对中子俘获反应截面进行高精度测量。为了降低实验本底，实验中需要对源中子进行准直和屏蔽，还要对被样品散射的中子进行吸收以减少它们进入探测器后所形成的干扰。采用MCNP对中子的准直器、屏蔽体和中子吸收体进行了模拟设计，中子准直屏蔽体材料选用含硼聚乙烯(BC4的质量分数为3%)和铅。准直孔直径为13 mm，长度为500 mm，经准直后样品处中子束斑坪顶直径为21 mm。中子吸收体材料选用聚乙烯和碳化硼，吸收体球壳内腔半径30 mm，聚乙烯壳层厚度60 mm，碳化硼壳层厚度10 mm，被样品散射的中子经吸收体后衰减93.7%。
关键词:
中子准直
,
中子屏蔽
,
透射率
,
束斑坪顶
郑贤利
,
刘敏
,
夏艳芳
,
程品晶
,
张泊丽
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.增刊(Ⅰ).029
利用SRIM软件计算模拟不同质量的带电粒子射入硅的射程、能量损失、硅损伤情况.结果表明,入射带电粒子在硅中分布的最大浓度位置位于其投影射程处,且随粒子质量的增加而减少；入射带电粒子的质量与硅的质量比近似小于1．8时,入射带电粒子损失给电子的能量与反冲硅原子损失给电子的能量之比＞1,否则小于1；电离能损随入射带电粒子质量的增加而减少；声子能损随入射带电粒子质量的增加而增加；入射带电粒子在硅中产生的移位和空穴随入射离子质量的增加而增加较快,而替位碰撞增加缓慢.
关键词:
带电粒子
,
辐照损伤
,
能量损失
,
硅
