程基宽
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高积强
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刘军林
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蒋仙
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杨建峰
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乔冠军
稀有金属材料与工程
研究了用物理气相传输(PVT)法制备SiC单晶的过程中附加碳源对晶体生长速度及缺陷的影响,并将活性炭与SiC粉末一起加入到石墨坩埚中进行晶体生长.用XRD分别测定了晶体生长前后坩埚与活性炭的石墨化度,并用光学显微镜观察了晶体中的缺陷.结果表明,随晶体生长过程的进行石墨坩埚的活性降低,直接导致晶体生长速度减慢,并使籽晶表面Si液相形成的可能性增大,与Si液相相关的缺陷增多.活性炭的加入给生长过程提供了充足的碳源,提高了晶体的生长速度,并抑制了籽晶表面Si液相的形成,从而降低了与Si液相相关缺陷出现的几率.
关键词:
缺陷
,
PVT
,
SiC晶体
,
附加碳源
程基宽
,
高积强
,
刘军林
,
蒋仙
,
杨建峰
,
乔冠军
稀有金属材料与工程
用PVT法制备了6H-SiC.用光学显微镜观察了晶体生长面的原生形貌.讨论了6H-SiC中蜷线的形状及其形成机理.蜷线起源于螺旋位错,它们的形状则决定于这些位错的符号与相对位置.在(0001)Si面上,蜷线表现为圆形螺旋,而在(0001)C面上则表现为六角形螺旋.通常情况下,蜷线的极点没有任何包裹物.然而在某些情况下,蜷线的极点会出现包裹物,如夹杂、微管、孔洞或者负晶等.当(0001)Si面作为生长面时,6H-SiC单晶的生长机制符合螺旋位错模型(BCF理论模型).
关键词:
蜷线
,
碳化硅
,
位错
,
生长机制
刘军林
,
高积强
,
程基宽
,
杨建峰
,
乔冠军
稀有金属材料与工程
研究了用改进Lely法制备SiC单晶的过程中坩埚石墨化度对物质传输和晶体生长速度的影响.在不同温度下进行石墨化处理得到了实验所用的坩埚.用XRD方法定量测定了晶体生长前坩埚的石墨化度,并用SEM分析了晶体生长后坩埚内壁的反应情况.实验结果表明,石墨坩埚在SiC晶体生长过程中是一个非常重要的碳源提供者;当坩埚的石墨化程度较低时,晶体的生长速度快,生长速度由生长温度所控制;随着坩埚石墨化程度的提高,晶体生长速度减慢并由坩埚石墨化度所控制;当石墨化度进一步提高的时候,籽晶被碳化,晶体不能正常生长.
关键词:
物质传输
,
石墨化度
,
单晶生长
,
SiC
