肖海波
,
张峰
,
张昌盛
,
程新利
,
王永进
,
陈志君
,
林志浪
,
张福民
,
邹世昌
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.01.006
通过离子束辅助沉积(IBAD)在热氧化SiO2上沉积Al2O3薄膜,在120keV下注入5×10115cm-2Er离子,Ar气氛下773～1273K退火1h.低温下测试PL谱线,随退火温度升高,发光强度上升.973K退火下发光强度特别低,并观察到Si衬底的1140nm峰.光透射谱表明几乎在所有的测试范围内尤其在1530nm处973K退火样品的透射谱强度最强,波导损耗最低.1530nm发光强度随退火温度的变化跟发光强度的变化相反.说明Er离子在514.5nm泵谱吸收界面σ跟Al2O3的光吸收损耗有一定关系.
关键词:
掺Er-Al2O3薄膜
,
PL谱
,
光透射谱
徐炜新
,
程新利
,
金惠娟
,
许裕生
金属功能材料
doi:10.3969/j.issn.1005-8192.2002.04.006
用X-射线衍射、透射电镜、X射线光电子能谱、穆斯堡尔谱研究了直流磁控溅射法制备的Fe-Zr-B薄膜.用振动样品磁强计测量了薄膜的磁性能.X-射线衍射和透射电镜结果表明,制备态的薄膜是非晶的;X射线光电子能谱结果表明样品表面氧化较明显,深层部分Fe,Zr,B结合占主导地位;穆斯堡尔谱结果表明薄膜中Fe原子周围Zr,B原子的存在使Fe原子核内场值有所下降并导致超精细场分布P(H)出现双峰结构,薄膜中存在两种不同的局域微结构.
关键词:
Fe-Zr-B合金
,
非晶薄膜
,
直流磁控溅射
张昌盛
,
肖海波
,
王永进
,
陈志君
,
程新利
,
张峰
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.003
利用离子注入方法制备了掺Er富硅氧化硅材料,用XRD,TEM方法研究材料微观结构,并测量了样品的光致发光(PL),研究了发光强度随测量温度的变化.试验表明:在1173K以上退火,注入硅集聚,形成φ(2-4)nm的纳米晶硅(nc-Si),纳米晶硅外面包裹非晶硅(a-Si),注入的Er离子分布在非晶硅中.通过非晶硅与硅纳米晶相耦合,非晶硅吸收部分硅纳米晶对Er的激发能量,降低了Er的激发效率;在T＞ 150K时,激发态Er与非晶硅间的能量背迁移降低了Er的发光效率.
关键词:
Er
,
富硅氧化硅
,
光致发光
,
温度淬灭
程新利
,
林志浪
,
王永进
,
肖海波
,
张峰
,
邹世昌
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.007
利用 SIMOX技术和硅外延工艺制备了厚膜 SOI材料.采用 Secco液腐蚀、椭圆偏振仪 (SE)、 扩展电阻 (SRP)等技术对材料的性能进行了表征,分析了外延硅层中缺陷产生的主要原因.外延层 电阻率纵向分布均匀 ,其缺陷主要来源于衬底缺陷延伸和表面的不平整.用制备的厚膜 SOI材料 制作了脊型光波导并完成了光损耗测试实验 ,得到了传输损耗为 0.4dB/cm的波导结构.
关键词:
厚膜 SOI材料
,
缺陷
,
光波导
