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阴极恒电流法电沉积SnS薄膜

程树英 , 陈岩清 , 钟南保 , 黄赐昌 , 陈国南

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.009

用阴极恒电流沉积法制备 SnS薄膜.研究了溶液的 pH值、离子浓度比、电流密度等电沉积 参数对薄膜组分的影响,得出制备 SnS薄膜的理想的工艺条件为: pH=2.7,Sn2+ :S2O32- =1:5, J=3.0mA· cm- 2,t=1.5h,并制备出了成分为 Sn0.995S1.005的膜层.用扫描电镜观察了该薄膜的表 面形貌,用 X射线衍射分析了其物相结构,表明它是具有正交结构的 SnS多晶薄膜 ,晶粒大小不一, 在 200- 800nm之间.用分光光度计测量了该薄膜在 400- 3000nm波段的透射光谱和吸收光谱, 发现其在 400- 900nm波段的透过率较低, 在 950- 1000nm附近有明显的吸收边 , 在波长大于 1000nm后其透过率较大.

关键词: 电沉积 , SnS薄膜 , 电流密度

两步法制备SnS光电薄膜及其性能

涂信梓 , 程树英

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.01.011

用两步法在ITO玻璃基片上制备SnS薄膜,即先在ITO玻璃基片上热蒸发一层Sn膜,然后在一定的温度和时间下在真空系统中进行硫化.在优化工艺条件下制备出附着力好的薄膜,通过扫描电子显微镜、X射线衍射、分光光度计等手段观察和分析测试,表明该薄膜是正交结构的SnS,薄膜表面致密,颗粒大小均匀.根据薄膜的反射光谱和透射光谱,计算得到其在吸收边的吸收系数α>5×104cm-1,直接带隙Eg=1.48eV,适合于作为太阳能电池的吸收层材料.

关键词: 两步法 , SnS薄膜 , 光学性能

温度对电沉积的SnS薄膜的结构和性能的影响

陈岩清 , 程树英

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.01.007

在溶液的pH=2.7,离子浓度比Sn2+/S2O32-=1/5,沉积电位为-0.72~-0.75V(vs.SCE)的条件下,控制溶液的温度在30~50℃之间变化,用阴极恒电位电沉积法在ITO导电玻璃基片上沉积SnS薄膜.通过对薄膜的结构和光学性能研究,结果表明:溶液的温度越高,制备出的SnS薄膜更加致密,均匀,薄膜的衍射峰也越来越明显;同时SnS薄膜对光的吸收范围也向长波方向拓宽.

关键词: 电沉积 , 沉积温度 , SnS薄膜

面向多区域视频监控的运动目标检测系统

林培杰 , 郑柏春 , 陈志聪 , 吴丽君 , 程树英

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20153003.0484

为了实现视频监控现场多区域运动目标检测,分析了传统运动检测算法的不足,结合帧间差分法和背景差分法,提出背景动态更新的运动检测算法。该算法能自适应背景的变化,减少由背景变化造成的误检测。构建基于 FPGA 的视频监控系统,在 FPGA上用该算法实现了640 pixel×480 pixel,30帧/s 视频信号流的运动目标实时检测。系统提供了分区域运动目标检测的功能。检测区域的大小、位置和个数可通过简单的按键操作进行设定。测试结果表明,系统可以实时地对进入划定区域的运动目标进行检测和闪烁告警,且资源占用较少,适合在小规模的 FPGA上进行实现。

关键词: 视频监控 , 运动检测 , 背景动态更新 , FPGA

Na+掺杂KLaF4∶Er3+/yb3+纳米晶上转换发光性能的研究

周海芳 , 王谢春 , 郑巧 , 程树英 , 赖云锋

人工晶体学报

采用水热法,以乙二胺为络合剂合成了Na+离子掺杂的六方相KLaF4∶Er3+/yb3纳米晶.利用X射线衍射谱(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、红外光谱(FT-IR)对样品的晶体结构、形貌和表面吸附进行了表征;测量了不同含量Na+掺杂样品在980 nm近红外光激发下的上转换发射光谱和4R/2能级的荧光寿命.结果表明:随着Na+掺杂浓度的增加,KLaF4∶Er3+/yb3+纳米晶上转换红绿光的发光强度均呈现出先增大后减小的趋势,红绿光发射最强强度分别为未掺Na+样品的7.3倍和5.2倍.Na+掺杂使Er3+离子周围晶场的不对称性降低和纳米晶表面吸附基团的减少是发光增强的主要原因.针对Na+掺杂样品的荧光寿命低于未掺样品的原因作了简要讨论.

关键词: KLaF4∶Er3+/yb3+纳米晶 , Na+离子掺杂 , 上转换发光 , 水热法

Ag掺杂In2 S3薄膜的拉曼光谱研究

林斯乐 , 马靖 , 程树英

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.18.031

利用拉曼光谱结合 XRD与 SEM测试对未掺杂与Ag掺杂的 In2 S3薄膜进行了分析研究。XRD测试结果确定了 In2 S3的物相,并表明掺杂后晶粒尺寸发生一定的变化;拉曼光谱研究表明,掺杂后232、272及300cm-13条拉曼谱线发生红移,这是由于掺杂后晶格膨胀引起的。结合部分拉曼谱线半高宽的展宽证实了掺杂后薄膜中存在间隙 Ag 原子;SEM的测试结果进一步证实Ag掺杂后In2 S3晶格存在膨胀,并说明了In2 S3薄膜的生长方式。

关键词: In2S3 薄膜 , 掺杂 , 拉曼光谱

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