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程碧胜 , 雷青松 , 徐静平 , 薛俊明
人工晶体学报
利用射频等离子体增强化学气相沉积工艺(RF-PECVD)制备非晶硅锗薄膜,研究氢稀释率和衬底温度对薄膜光电性能的影响.通过二者的优化制备出光学带隙1.5 eV、光敏性6×104的高质量非晶硅锗薄膜.在此基础上制备出效率为6.65％的非晶硅锗(a-SiGe∶H)单结太阳能电池.
关键词: 非晶硅锗 , 氢稀释率 , 衬底温度 , 太阳能电池
