程红娟
,
张嵩
,
徐永宽
,
郝建民
材料科学与工程学报
GaN氢化物气相外延(HVPE)生长过程中,衬底表面的温度分布对其生长质量有着重要影响.我们采用计算机模拟,研究了GaN生长过程中所使用的不同结构石墨基座上的温度分布.根据所得不同结构下基座上的温度分布,选择衬底上温度分布最均匀的结构与普通实验使用的基座结构进行实验对比.结果发现,在实际的大流量载气...
关键词:
模拟
,
GaN HVPE
,
基座
,
衬底
练小正
,
李璐杰
,
张志鹏
,
张颖武
,
程红娟
,
徐永宽
人工晶体学报
采用垂直布里奇曼法(VB法)生长2英寸GaSb单晶,分析了GaSb多晶产生的原因,即GaSb原料与覆盖剂中残留水分发生化学反应生成氧化镓残渣,残渣吸附在坩埚内壁导致GaSb多晶形成.通过增加覆盖剂除水工艺,成功生长出2英寸高质量GaSb单晶.此外,研究了单晶内部位错分布特点,结果显示GaSb晶体具有...
关键词:
GaSb
,
垂直布里奇曼法
,
位错密度
,
覆盖剂
