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镀铜研究中的电化学方法

胡立新 , 占稳 , 欧阳贵 , 程骄 , 寇志敏

电镀与涂饰

综述了镀铜研究中常用的电化学方法,包括恒电位技术、线性电势扫描伏安法、恒电流技术和交流阻抗技术,展望了电化学方法在镀铜研究中运用的前景.

关键词: 镀铜 , 电化学方法

采用新型组合光亮剂的碱性镀铜研究

占稳 , 胡立新 , 程骄 , 欧阳贵 , 胡传群 , 陈雪梅

材料保护

将一种新型组合光亮剂用于碱性镀铜工艺中,利用极化曲线、赫尔槽样板法、扫描电子显微镜(SEM)及X射线衍射(XRD)等分析了组合光亮剂中各添加剂对镀液极化能力的影响,研究了镀液的分散、覆盖能力,镀层的结合能力、表面形貌、组成及晶体结构.结果表明:组合光亮剂中4种添加剂均能提高镀液的极化能力,在铜沉积过程中具有不同的作用;电流密度为1~10 A/dm~2时,铜镀层晶粒均匀细致;镀层厚度较薄时满足(111)和(220)晶面择优取向协同生长的方式,而中等厚度的镀层趋向于(111)晶面择优取向生长.

关键词: 碱性镀铜 , 光亮剂 , 电化学性能 , 镀层形貌 , 镀层结构 , 择优取向

添加剂对酒石酸盐镀铜的影响

占稳 , 胡立新 , 沈瑞敏 , 程骄 , 欧阳贵 , 陈雪梅

电镀与涂饰

研究了一种无氰碱性镀铜工艺.运用循环伏安法和扫描电子显微镜研究了配方中三乙醇胺(4 mL/L)、硝酸铵(1.5g/L)、亚胺类物质hg01(1 mL/L)和吡啶类物质hg02(0.5 g/L)等4种添加剂的作用.结果表明:三乙醇胺能改善低电流密度处镀层质量;硝酸铵与铜离子结合能在较宽电流密度范围内参与阴极还原反应,有效抑制析氢反应;hg01优先吸附在阴极高电流密度处与铜离子产生强配合作用,能提高镀液的分散能力,有利于产生细微晶粒;hg02能在电极表面吸附,增大了铜沉积过程的极化作用,有效改善了中电流密度区镀层的整平性和脆性.X射线衍射研究表明,该铜镀层表现出(111)晶面的择优取向.该工艺具有良好的镀液及镀层性能,镀层厚度中等,适合用于铁基片上打底.

关键词: 镀铜 , 酒石酸盐 , 添加剂 , 循环伏安法 , 表面形貌

聚乙烯亚胺添加剂对碱性镀铜电沉积行为的影响

占稳 , 胡立新 , 张智 , 欧阳贵 , 程骄 , 陈雪梅

材料保护

为了研究碱性镀铜中添加剂对铜电沉积行为的影响,采用一种新型柠檬酸碱性镀铜工艺制备了铜镀层,研究了聚乙烯亚胺添加剂在新型柠檬酸盐碱性镀铜中的作用机理.运用SEM,XRD和电化学方法对镀液、镀层进行了分析.结果表明:聚乙烯亚胺有利于获得较宽的电流密度范围和均匀细致的镀层,使铜镀层表现出(111)晶面的择优取向,铜的沉积为侧向生长;聚乙烯亚胺优先吸附在阴极高电流密度处,并对铜沉积产生较强的阻化作用;铜电沉积的初期行为服从扩散控制和三维连续成核方式生长规律.

关键词: 碱性镀铜 , 聚乙烯亚胺添加剂 , 镀层表面形貌 , 择优取向 , 连续成核

高电流密度通孔电镀铜影响因素的研究

陈杨 , 程骄 , 王翀 , 何为 , 朱凯 , 肖定军

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2015.08.006

印制电路板在垂直连续电镀生产线上镀铜,通过改进电镀槽结构,引入喷流加强溶液交换等措施,能够使用更大的电流密度,大幅度提高产能.由于搅拌强度、电流密度和阴阳极距离等工艺条件发生改变,为了使微通孔电镀铜效果达到最优,对镀液成分配比进行优化实验.通过对镀铜层切片分析,确定光亮剂浓度和电流密度为影响电镀的显著因素.在优化控制条件下,采用的电镀液对厚径比为6.4∶1.0的通孔(d =0.25 mm)镀铜,铜层的均镀能力达到80%以上,具有很好的实用价值.

关键词: 印制电路板 , 高速电镀铜 , 优化实验设计 , 添加剂 , 均镀能力

PCB电镀铜添加剂作用机理研究进展

彭佳 , 程骄 , 王翀 , 肖定军 , 何为

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2016.12.004

添加剂是PCB镀铜溶液中的重要组成部分,在电镀过程中发挥着不可替代的作用.添加剂能有效改善电镀过程中的电流分布,提高镀液的均镀能力,控制铜离子从溶液本体到反应界面的运输与电结晶过程,从而影响PCB板面微观凹处和微观凸处的电化学沉积速率.然而添加剂的作用并不是单一组分添加剂所发挥作用的简单叠加,它们之间存在着复杂的协同作用或对抗竞争作用.为了更好地指导电镀铜添加剂配方的研发,提高电镀工艺水平,结合目前国内外相关的文献报道对电镀工艺中添加剂间的相互作用进行分析和概述.其中包括氯离子、加速剂、抑制剂、整平剂之间的相互作用.

关键词: 添加剂 , 电镀铜 , 作用机理 , 印制线路板

新型整平剂TS-L对铜电沉积的影响

丁辛城 , 彭代明 , 陈梓侠 , 程骄

电镀与涂饰

通过极化曲线、电化学阻抗谱、计时电流等电化学测量方法研究了整平剂TS-L对铜电沉积的影响.基础镀液组成为:CuSO4·5H2O 75 g/L,H2SO4 240 g/L,Cl-60 mg/L.结果表明,TS-L会抑制铜的电沉积,有利于得到平整、光亮的镀层.随TS-L用量增大,其抑制作用增强.TS-L的用量为50 mg/L时,铜的电沉积由基础镀液的三维瞬时成核转变为三维连续成核.随TS-L质量浓度的增大,镀液的深镀能力提高.在电镀液中添加50 mg/L整平剂TS-L、10 mg/L光亮剂TS-S和600 mg/L抑制剂TS-W时,深镀能力为87%,铜镀层的延展性和可靠性满足印制线路板行业的应用要求.

关键词: 电镀铜 , 整平剂 , 深镀能力 , 极化 , 电结晶 , 延展性 , 可靠性

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