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导模法生长高质量氧化镓单晶的研究

贾志泰 , 穆文祥 , 尹延如 , 张健 , 陶绪堂

人工晶体学报

使用导模法生长了宽度25 mm,长度100 mm的氧化镓(β-Ga2O3)单晶.晶体外观完整、无色、无开裂,粉末XRD测试证明所获得的晶体为β相,晶体摇摆曲线半峰宽为93.6",峰形对称,说明晶体质量良好.测试了未掺杂晶体的紫外透过光谱,并推算了晶体的禁带宽度为4.77 eV.此外,还重点讨论了晶体放肩时的工艺参数对晶体质量的影响.

关键词: 氧化镓单晶 , 导模法 , 禁带宽度