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原子层沉积技术在微纳器件中的应用研究进展

李惠琴 , 陈晓勇 , 王成 , 穆继亮 , 许卓 , 杨杰 , 丑修建 , 薛晨阳 , 刘俊

表面技术 doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.02.012

原子层沉积( ALD)是一种新型的精确表层薄膜制备技术,具有沉积面积大、薄膜均匀、膜厚纳米级可控生长、低温性等特点,适用于纳米多孔和高深宽比基底材料,可应用于三维微纳结构器件的功能薄膜材料制备,广受国内外学术界和工业界的关注。综述了ALD技术发展历史和技术原理,介绍了ALD技术在微纳器件中的应用进展...

关键词: 原子层沉积 , 薄膜技术 , 高深宽比结构 , 纳米多孔结构 , 微纳结构器件

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