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检索条件:作者=符凯  

  • 论文(2)

AlN/Si(100)上CVD SiC薄膜的光致发光谱

秦臻 , 韩平 , 韩甜甜 , 鄢波 , 李志兵 , 谢自力 , 朱顺明 , 符凯 , 刘成祥 , 王荣华 , 李云菲 , 顾书林 , 张荣 , 郑有炓

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.030

本工作用化学气相淀积方法在AlN/Si(100)复合衬底上生长SiC薄膜.外延生长过程中,采用C4H4和SiH4作为反应气源,H2作为载气.样品的X-射线衍射谱和拉曼散射谱显示,所得到的外延层为六角对称的SiC薄膜.俄歇电子能谱及X-射线光电子能谱的测量结果表明,在外延膜中存在来自衬底的Al和N元素...

关键词: CVD , 4H-SiC , 光致发光

GaN MOCVD生长速率及表面形貌随生长参数的变化

符凯 , 张禹 , 陈敦军 , 韩平 , 谢自力 , 张荣

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2008.01.006

根据现有氮化镓(GaN)金属有机物化学气相淀积(Metalorganic Chemical Vapor Deposotion)生长动力学理论,结合具体的MOCVD反应腔体的构造,用计算流体力学和动力学蒙特卡罗方法对GaN MOcvD生长过程中的生长速率和表面形貌演变进行了计算机模拟.结果表明,在95...

关键词: 氮化镓 , 计算流体力学 , 蒙特卡洛 , 计算机模拟