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用于GaSb/AlGaAsSb器件制备的新型化学腐蚀液研究

简贵胄 , 郑燕兰 , 林春 , 李爱珍 , 张永刚

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.01.018

提出了一种适用于GaSb/AlGaAsSb器件工艺的由氢氟酸、酒石酸和双氧水构成的氢氟酸系腐蚀液。该腐蚀液对于GaSb和AlGaAsSb材料具有良好的腐蚀特性和稳定的刻蚀速率。选用合适的溶液组份可以得到较低的刻蚀速率，有利于在器件工艺中进行精确控制。实验中发现该腐蚀液对AlGaAsSb的腐蚀速率与其Al组份呈抛物线关系，在合适的Al组份下可对AlGaAsSb和GaSb两种材料进行非选择性的刻蚀。

关键词: GaSb/AlGaAsSb化合物半导体 , 化学刻蚀 , 光电器件