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烧结温度对钇掺杂氧化锌导电陶瓷局域电子密度和结构缺陷的影响

籍远明 , 张金仓

稀土 doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2004.05.002

应用正电子湮没技术,对掺杂Y2O3的ZnO导电陶瓷烧结过程进行了研究,给出了烧结温度对导电特性、局域电子密度、结构缺陷的影响特征.研究发现:提高烧结温度,Zn填隙离子迅速迁移,ZnO导电陶瓷电阻率明显下降,同时产生大量微空洞缺陷.

关键词: 导电陶瓷 , 正电子湮没 , 局域电子密度 , 缺陷

Nb2O5掺杂的氧化锌陶瓷导电特性研究

籍远明 , 张金仓

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2004.01.014

研究了Nb2O5掺杂的ZnO陶瓷在低温下导电特性,结果表明,低温状态下,随着Nb2O5掺杂量的增加,ZnO电阻率降低,不同温度下烧结的ZnO样品,烧结温度越高,电阻率愈小,同一烧结温度下,不同烧结时间的ZnO样品,随着烧结时间的增加,电阻率愈小.

关键词: ZnO陶瓷 , 导电特性 , 掺杂 , 低温

YBa2Cu3-xZnxO7-δ(x=0.0～0.5)体系的正电子寿命谱研究

张金仓 , 邓冬梅 , 李喜贵 , 陈镇平 , 籍远明

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2000.02.011

利用正电子湮没谱方法,对Zn替代的YBa2Cu3-xZnxO7-δ(x=0.0～0.5)体系进行了系统研究,给出了正电子寿命参数随Zn替代含量x的变化.证明CuO2面载流子的不均匀分布乃是Zn替代引起超导电性退化的主要原因.讨论了Zn替代引起Y-123体系电子结构的变化特征并给出了初步的解释.

关键词:

掺杂Y2O3的ZnO导电陶瓷正电子寿命谱研究

籍远明

稀土 doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2003.03.009

用正电子湮没技术,结合X射线衍射结构分析,对掺杂Y2O3的ZnO导电陶瓷烧结过程进行了研究,给出了掺杂含量、烧结温度和烧结时间对材料结构的影响特征,研究发现:Y2O3掺杂量增加,ZnO导电陶瓷材料完整性变差;烧结温度升高,ZnO陶瓷产生微空洞为主的缺陷;烧结时间增加,微空洞缺陷数目明显增加.同时对正电子湮没机制与ZnO陶瓷导电特性的关联进行了研究.

关键词: 导电陶瓷 , 正电子湮没 , 缺陷

氧化锌陶瓷铌掺杂效应的低温导电特性研究

籍远明 , 张金仓 , 郝希平

功能材料

研究了Nb2O5掺杂的ZnO陶瓷在低温下导电特性.结果表明:低温状态下,随着Nb2O5掺杂量的增加,ZnO电阻率降低,不同温度下烧结的ZnO样品,烧结温度越高,电阻率愈小;同一烧结温度下,不同烧结时间的ZnO样品,随着烧结时间的增加,电阻率愈小.

关键词: ZnO陶瓷 , 导电特性 , 掺杂 , 低温

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