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大尺寸高质量GaSb单晶研究

练小正 , 李璐杰 , 张志鹏 , 张颖武 , 程红娟 , 徐永宽

人工晶体学报

采用垂直布里奇曼法(VB法)生长2英寸GaSb单晶,分析了GaSb多晶产生的原因,即GaSb原料与覆盖剂中残留水分发生化学反应生成氧化镓残渣,残渣吸附在坩埚内壁导致GaSb多晶形成.通过增加覆盖剂除水工艺,成功生长出2英寸高质量GaSb单晶.此外,研究了单晶内部位错分布特点,结果显示GaSb晶体具有...

关键词: GaSb , 垂直布里奇曼法 , 位错密度 , 覆盖剂