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各向异性静态随机存储器中的多位翻转分析研究

张战刚 , 刘杰 , 侯明东 , 孙友梅 , 苏弘 , 耿超 , 姚会军 , 罗捷 , 段敬来 , 莫丹 , 古松 , 刘天奇 , 习凯 , 翟鹏飞 , 曹殿亮

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.31.02.195

重离子实验结果表明,具有高线性能量转移(LET)或大角度入射的快重离子导致静态随机存储器(SRAM)中的多位翻转(MBU)比例增大,甚至超过单位翻转比例。单个离子径迹中的电荷可以沿着径向扩散数个微米,被临近的灵敏区收集后引起MBU。器件灵敏区的各向异性空间布局与离子入射方向共同影响测试器件的MBU图形特征。位线接触点的纵向隔离导致横向型成为主要的两位翻转图形;“L”型和“田”型分别是主要的三位翻转和四位翻转图形。最后,对SRAM抗MBU加固设计和实验验证方法进行了讨论。

关键词: 单粒子效应 , 静态随机存储器 , 各向异性布局 , 多位翻转

25 MeV/u Kr辐照下PET薄膜的损伤机制研究

彭书赋 , 孙友梅 , 罗捷 , 常海龙 , 刘杰 , 侯明东 , 段敬来 , 姚会军 , 莫丹 , 张苓 , 尹经敏 , 陈艳峰 , 翟鹏飞 , 曹殿亮

原子核物理评论

通过25 MeV/u ~(86)Kr离子辐照叠层结晶聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(PET),在不同的电子能损(3.40-7.25 keV/nm)和离子注量(5×10~(11)-3×10~(12) ions/cm~2)辐照条件下,对Kr离子在PET中引起的辐照损伤效应进行了研究.借助傅里叶变换红外光谱分析,通过对样品的红外吸收峰进行扣除基底后的Lorentz拟合,分析了与主要官能团对应的吸收峰强度的变化趋势,研究了化学结构与组分在重离子辐照下的变化规律;利用X射线衍射光谱仪测量,研究了Kr离子在PET潜径迹中引起的非晶化过程,并通过对吸光度和非晶化强度随离子注量的指数衰减规律的分析,获得了不同电子能损离子辐照PET时主要官能团的损伤截面和非晶化截面及对应的潜径迹半径.

关键词: 聚对苯二甲酸乙二醇酯膜 , 快重离子辐照 , 辐照损伤

PPAC在单粒子效应地面模拟实验中对束流均匀度测量的应用

蒋冬舜 , 孙友梅 , 马朋 , 段敬来 , 刘杰 , 耿超 , 侯明东 , 姚会军 , 罗捷

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.31.04.522

单粒子效应(SEE)加速器地面模拟需要离子束具有较好的均匀度,针对回旋加速器单粒子效应模拟的束流特点,建立了一套以位置灵敏平行板雪崩探测器(Parallel Plate Avalanche Counter, PPAC)为基础的均匀度探测系统并完成了带束测试,对它的结构、工作原理、均匀度获得方法及带束测试结果进行描述。为验证PPAC测量结果准确性,在带束测试过程中,前方同时放置PET膜测量穿过PPAC探测器的粒子分布,与离子径迹测量结果对比,给出PPAC的均匀度的测量误差在5%之内。探测器具有50 mm×50 mm的灵敏面积和小于1 mm的位置分辨,符合单粒子效应实验对束流均匀度测量的要求。

关键词: PPAC , 单粒子效应 , 地面模拟 , 束流均匀度 , 固体径迹探测器

深亚微米SRAM质子单粒子翻转实验研究

古松 , 刘杰 , 刘天奇 , 张战刚 , 姚会军 , 段敬来 , 苏弘 , 侯明东 , 罗捷

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.32.03.353

宇航半导体器件运行在一个复杂的空间辐射环境中,质子是空间辐射环境中粒子的重要组成部分,因而质子在半导体器件中导致的辐射效应一直受到国内外的关注.利用兰州重离子加速器(Heavy Ion Research Facility In Lanzhou)加速出的H2分子打靶产生能量为10 MeV的质子,研究了特征尺寸为0.5/0.35/0.15μn体硅和绝缘体上硅(SOI)工艺静态随机存储器(SRAM)的质子单粒子翻转敏感性,这也是首次在该装置上开展的质子单粒子翻转实验研究.实验结果表明特征尺寸为亚微米的SOI工艺SRAM器件对质子单粒子翻转不敏感,但随着器件特征尺寸的减小和工作电压的降低,SOI工艺SRAM器件对质子单粒子翻转越来越敏感;特征尺寸为深亚微米的体硅工艺SRAM器件单粒子翻转截面随入射质子能量变化明显,存在发生翻转的质子能量阈值,CR(E)ME-MC模拟结果表明质子在深亚微米的体硅工艺SRAM器件中通过质子核反应导致单粒子翻转.

关键词: 质子 , 单粒子翻转 , 核反应 , CR(E)ME-MC模拟

快重离子辐照金红石型TiO_2的肿胀效应及化学蚀刻行为研究

罗捷 , 孙友梅 , 侯明东 , 段敬来 , 常海龙 , 刘杰

原子核物理评论

二氧化钛(Titatium Dioxide,简称TiO2)晶体在中能重离子辐照时表面会出现肿胀效应,肿胀高度与入射离子的电子能损和辐照注量有关。辐照后的TiO2在一定条件下能够被氢氟酸溶液化学蚀刻,化学蚀刻的电子能损阈值为8.2 keV/nm,未辐照TiO2呈现几乎零蚀刻率。要达到饱和蚀刻深度,辐照离子的注量必须大于或等于1×1013ions/cm2。采用离子辐照的潜径迹理论分析研究了辐照损伤及对化学蚀刻的影响,快重离子辐照结合化学蚀刻是制备TiO2微结构的有效方法。

关键词: TiO2 , 辐照肿胀 , 化学蚀刻 , 电子能损

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