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液相合成硒化镉(CdSe)热力学研究

何知宇 , 赵北君 , 朱世富 , 王瑞林 , 陈松林 , 李艺星 , 罗政纯 , 任锐

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.010

本文报道了对硒化镉(CdSe)合成反应的反应焓变,反应熵变,Gibbs自由能以及配料的化学计量的分析计算,从热力学角度论证了在中温(~650℃)下直接液相合成高纯CdSe的可能性.按照理论分析结果选择技术参量进行了CdSe液相合成实验,并采用X射线粉末衍射谱法对合成产物进行了分析,结果证实了热力学分析的正确性.

关键词: 热力学 , 合成 , CdSe , XRD

湿氧钝化CdSe(110)表面的XPS分析

罗政纯 , 朱世富 , 赵北君 , 王瑞林 , 陈松林 , 何知宇 , 李艺星 , 任锐

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.008

用双氧水对CdSe单晶(110)表面进行钝化,采用X射线光电子能谱(XPS)分析了湿氧处理的CdSe(110)表面的化学特征.通过两次不同分析模式FAT(固定通能)和FRR(固定减速比)所得到的结果表明:CdSe表面出现Se偏析,表面上形成了SeOx(x<1),SeO、Cd(OH)2和CdCO3的高电阻稳定氧化层,消除了器件表面态,可以减少器件的表面漏电流和改善其信噪比.

关键词: CdSe单晶体 , 表面钝化 , XPS

硒化镉(CdSe)单晶体的变温霍尔效应研究

温才 , 赵北君 , 朱世富 , 王瑞林 , 何知宇 , 任锐 , 罗政纯 , 李艺星

功能材料

通过变温(20~300K)霍尔效应测量,研究了CdSe单晶体的电阻率ρ(T)、载流子浓度n(T)、霍尔系数RH(T)和霍尔迁移率μH(T)的温度依赖关系.实验结果表明CdSe单晶体的导电类型总为n型,且它的电阻率与载流子浓度的温度依赖关系与n-Si单晶类似.通过拟合禁带宽度约为1.7eV.本文还进一步研究了本征区、饱和区、弱电离区内电子浓度的变化和霍尔因子γ随温度变化关系,并由此计算出杂质电离能(24.7meV)与补偿度(23.7%).上述结果表明CdSe单晶体具有优良的电学特性,是制作室温核辐射探测器的理想材料.

关键词: CdSe单晶体 , 核辐射探测器 , 霍尔效应

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