王天生
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田永君
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于栋利
,
迟振华
,
胡前库
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罗晓光
稀有金属材料与工程
用热丝化学气相沉积法(HFCVD)在蓝宝石基片上原位制备了MgB2超导薄膜,并用XRD、SEM和dc SQUIDs研究了基片温度和时间对薄膜相组成、表面形貌和超导临界转变温度Tc的影响.结果表明,HFCVD原位生长MgB2薄膜可以抑制MgO杂质的生成.基片温度在500℃以下,MgB4杂相容易出现;在500℃以上时,可以消除MgB4杂相;在600℃时,获得了纯单相的MgB2薄膜,其超导临界转变温度达到36 K.随基片温度升高,薄膜结晶性、致密度和超导临界转变温度提高.
关键词:
MgB2薄膜
,
微观结构
,
超导电性
,
热丝化学气相沉积
李金平
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孟松鹤
,
韩杰才
,
张幸红
,
罗晓光
稀有金属材料与工程
为了预测ZrC1-xNx固溶体的性能,根据固体与分子经验电子理论(EET),对该固溶体相进行了价电子结构分析;采用键距差(BLD)方法,计算了固溶体相中的最强键共价电子数、共价键电子数百分比、最强键键能、熔点等,并分别与ZrC、ZrN基体的价电子结构进行比较.结果表明,ZrC与ZrN相互溶入后,非金属原子的杂阶没有变化,但ZrC1-xNx固溶体中Zr原子的杂阶、最强键上共价电子数、共价键电子数百分比、最强键键能以及熔点均随x值变化而变化.随着x值的增加,Zr原子的杂阶从B11上升到B13,最强键上共价键数、最强键键能、熔点逐渐下降,而共价键数百分比逐渐上升,表明固溶体硬度、韧性、结合能、熔点、导电性能逐渐减小,而强度却逐渐增加.
关键词:
ZrC1-xNx固溶体
,
EET理论
,
BLD
,
价电子结构
,
性能
李金平
,
孟松鹤
,
韩杰才
,
张幸红
,
罗晓光
稀有金属材料与工程
为了预测HfC1-xNx固溶体的性能,根据固体与分子经验电子理论(EET),对这类固溶体相进行了价电子结构分析,并分别与HfC,HfN基体进行比较.结果表明,HfC与HfN相互溶入后,非金属原子的杂阶保持不变,而Hf原子的杂阶从B11逐渐上升到B16;随着x值的增加,最强键上共价电子数、最强键键能、熔点都是逐渐下降,而共价电子总数百分比逐渐上升,表明固溶体的硬度、韧性、结合能、熔点逐渐减小,而强度却增加.
关键词:
HfC1-xNx固溶体
,
EET理论
,
BLD
,
价电子结构
,
性能
吴庆华
,
胡前库
,
孙广
,
罗晓光
,
何巨龙
功能材料
以硼酸和三聚氰胺为原料,采用化学法制备了乱层石墨结构的B-C-N化合物.在5.5GPa、800～1500℃条件下对该化合物进行了高温高压处理.采用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)以及电子能量损失谱(EELS)对所制备的样品进行了结构、形貌和成分分析.研究结果表明:在5.5GPa压力下,随着温度的升高,B-C-N化合物逐渐由乱层石墨结构转变为六方结构,在1200℃时,得到了结晶较好的六方B-C-N化合物,同时样品中含有少量的六方BN和非晶C.当温度高于1400℃,B-C-N化合物完全分解成六方BN和石墨.
关键词:
六方B-C-N
,
高温高压
,
晶化
,
分相
韩杰才
,
李金平
,
孟松鹤
,
张幸红
,
罗晓光
稀有金属材料与工程
TiB2与ZrB2在热压过程中发生反应生成富Ti的(Ti0.8Zr0.2)B2与富Zr的(Zr0.8Ti0.2)B2两种置换型固溶体.为了预测这两种固溶体的性能,根据固体与分子经验电子理论(EET),对两种固溶体相进行了价电子结构分析;并与TiB2、ZrB2基体的价电子结构进行比较.结果表明,TiB2溶入ZrB2基体后,引起Zr杂阶从甲种16阶下降到14阶,最强键上共价电子数、共价键电子数百分比、最强键键能下降,表明TiB2溶入导致ZrB2基体的硬度、强度、结合能与熔点下降,韧性增加.而ZrB2溶入TiB2基体后,引起Ti的杂阶从甲种13阶上升到15阶,ZrB2溶入的改变作用与TiB2溶入后的改变作用相反.两种固溶体与两种基体相的价电子结构中各项参数都非常接近,表明TiB2与ZrB2两者在烧结过程中很容易发生固溶反应;也说明TiB2与ZrB2互相溶入后对基体性能改变幅度较小.
关键词:
(Ti0.8Zr0.2)B2
,
(Zr0.8Ti0.2)B2
,
固溶体
,
EET
,
BLD
胡前库
,
吴庆华
,
罗晓光
,
孙广
,
何巨龙
功能材料
通过高温高压方法制备了一种晶化程度较高的类石墨层状BC3化合物.在5.5GPa压力条件下,温度越高,制得的硼碳样品晶化越好,电阻率越小.在1500℃、5.5GPa下制得的层状硼碳样品的电阻率ρ=1.2×10-4Ω·m,略大于同等条件下制备的纯碳样品的电阻率ρ=1.1×10-4Ω·m.这种层状硼碳化合物在620℃左右开始氧化,比纯碳样品的初始氧化温度高大约100℃,替代的硼明显的改善了碳的抗氧化性能.
关键词:
层状硼碳化合物
,
电阻率
,
高温高压
,
抗氧化
周远翔
,
罗晓光
,
邱东刚
,
严萍
,
梁曦东
,
关志成
绝缘材料
doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2001.06.006
电树与半结晶材料的形态结构有着密切的关系.在本文中,首先通过两种不同的热处理方式 :(1)自然冷却,(2)急冷对高密度聚乙烯和低密度聚乙烯薄膜进行处理,然后,在不同的实验条件下测量电树的发展速度和长度.通过试验,我们发现尽管高密度聚乙烯比低密度聚乙烯有更高的结晶度和更大的球晶尺寸,并在电树起始阶段表现出高阻性,但电树在前者中的发展比在后者中容易.据此,我们推测,材料的形态结构对于电树的发生和电树的发展有着不同的影响.
关键词:
电树
,
形态
,
高密度聚乙烯
,
低密度聚乙烯
,
热处理
,
球晶
