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检索条件:作者=翁俊  

  • 论文(4)

MPCVD装置基片台改进对金刚石薄膜均匀性的影响

田宇迪 , 汪建华 , 胡晖 , 翁俊

硬质合金 doi:10.3969/j.issn.1003-7292.2014.05.006

通过对实验室自主研发的10 kW新型微波等离子体装置基片台的改进,获得了更高的基片温度,更长的保温时间以及更均匀的基片温度.用直径为80 mm的硅片在改进后的基片台上用MPCVD法沉积大面积金刚石膜.在微波功率为5 kW,沉积气压为5.6 kPa环境下基片中心获得900℃的基片温度,沉积时间8h.实...

关键词: 基片台改进 , 大面积金刚石膜 , MPCVD , 金刚石薄膜均匀性

MPCVD法在基片边缘生长大颗粒金刚石的研究

满卫东 , 翁俊 , 吴宇琼 , 吕继磊 , 董维 , 汪建华

人工晶体学报

本研究在自制的5 kW大功率MPCVD装置中,利用边缘效应成功的在基片边缘处以50μm/h的沉积速率沉积出品粒尺寸达500 μm左右的大颗粒金刚石并以70μm/h沉积速率同质外延修复长大了一颗天然的单晶金刚石.在实验中,利用SEM和Raman光谱对基片边缘区域和中央区域所沉积的金刚石颗粒进行了表征....

关键词: MPCVD , 边缘效应 , 大颗粒金刚石

金刚石半导体研究进展

熊礼威 , 汪建华 , 满卫东 , 刘长林 , 翁俊

材料导报

金刚石具有一系列优异的物理化学性能,特别是独特的电学和热学性能,使其在半导体领域具有极佳的应用前景.通过详细评述金刚石的各种性能,以及与其他半导体材料的性能比较,提出了金刚石在半导体器件应用领域的优势.详细介绍了金刚石半导体掺杂以及金刚石半导体器件的种类和应用,并在此基础上展望了金刚石在半导体领域的...

关键词: 金刚石 , 半导体 , 掺杂

氢气浓度对掺氮超纳米金刚石薄膜的影响

吕琳 , 汪建华 , 翁俊 , 张莹 , 崔晓慧

人工晶体学报

采用微波等离子体化学气相沉积法,以甲烷和氮气为气源,通过改变反应气体中氢气的浓度,在硅衬底上沉积出掺杂氮的超纳米金刚石膜.并利用扫描电子显微镜,拉曼光谱仪,X射线衍射仪,霍尔效应测试仪分别对掺杂氮的超纳米金刚石膜的表面形貌,组成结构及导电性能进行了进行表征,重点研究了氢气浓度对薄膜特性的影响.结果表...

关键词: 超纳米金刚石 , 氢气浓度 , 微波等离子体化学气相沉积 , 导电性