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Ru掺杂Sn基氧化物电极的第一性原理计算

刘雪华 , 邓芬勇 , 翁卫祥 , 王欣 , 林玮 , 唐电

中国有色金属学报

采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法和局域密度近似,研究Ru掺杂SnO 2形成的Sn 0.875 Ru 0.125 O 2复合氧化物电极的晶体结构和电子结构,比较掺杂前后体系的能带结构、电子态密度和载流子浓度。计算表明:Ru掺杂后SnO 2的晶胞体积缩小,复合氧化物电极的能带结构、电子态密度和载流子浓度均发生显著变化,导致材料的导电类型呈现近金属特性,揭示Ru掺杂后SnO 2导电性能显著增强的原因是导带底附近形成的杂质能级的贡献。

关键词: Sn基氧化物 , Ru掺杂 , 第一性原理计算 , 电子结构 , 导电性能

Cr/Cu/Al/Cr薄膜电极的防氧化性能

翁卫祥 , 于光龙 , 贾贞 , 李昱 , 郭太良

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20112602.0183

采用Al作为Cu导电层的主要防氧化保护层,在普通浮法玻璃上利用磁控溅射和湿法刻蚀技术制备Cr/Cu/Al/Cr复合薄膜及其电极,研究不同的热处理温度对复合薄膜及其电极的结构、表面形貌和导电性能的影响.由于有Al层作为保护层,在热处理过程中,Al先与穿过Cr保护层的氧进行反应,从而可以更有效地保护Cu膜层在较高的温度下不被氧化,所制备的薄膜在经过600℃的热处理之后仍然具有较好的导电性能.而对于Cr/Cu/Al/Cr电极,侧面裸露的金属层在热处理过程中的氧化是其导电性能逐渐下降的主要原因,退火温度超过500℃之后,电极侧面裸露部分的氧化范围不断往电极的中间扩散,导致了薄膜电极导电性能显著恶化.虽然如此,Cr/Cu/Al/Cr薄膜电极在430℃附近仍然具有较好的导电性能,电阻率为7.3×10-8Ω·m,符合FED薄膜电极的要求.以此薄膜电极构建FED显示屏,通过发光亮度均匀性的测试验证了Cr/Cu/Al/Cr电极的抗氧化性.

关键词: Cr/Cu/Al/Cr薄膜 , 薄膜电极 , 表面形貌 , 防氧化性能

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