刘伟
,
周先意
,
张宪峰
,
袁松柳
,
李广
,
杜江峰
,
范扬眉
,
叶邦角
,
翁惠民
,
韩荣典
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2000.03.012
为研究超大磁阻材料的掺杂效应,我们测量了(La1-xYx)2/3Ca1/3MnO3系列样品的正电子寿命谱,并结合X射线衍射和电阻温度关系的测量结果,系统地研究了Y掺杂引起的样品局域电子结构和空位型缺陷的变化,并提出了局域电荷转移的观点,解释正电子体寿命的变化.
关键词:
金绍维
,
顾伟伟
,
周先意
,
吴文彬
,
翁惠民
,
朱长飞
,
叶邦角
,
韩荣典
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2004.02.003
用单能慢正电子束,测量了不同氧分压下生长的La0.7Sr0.3MnO3外延膜的S参数与入射正电子能量E的关系.结果发现La0.7Sr0.3MnO3外延膜中S参数与氧分压是非单调变化的;这与沉积氧分压的两种作用相关联的.在氧分压较高的LSMO薄膜中, 空位浓度的增加主要是由沉积原子(离子)与氧原子碰撞几率增大,使其缺乏足够的动能去填补空位引起的;在低氧分压的LSMO薄膜中, 空位浓度的增大则主要是提供成膜所需要的氧原子缺乏,从而导致氧空位及其相关缺陷增加.
关键词:
缺陷性质
,
外延薄膜
,
增电子湮灭
程宇航
,
吴一平
,
邹柳娟
,
陈建国
,
乔学亮
,
谢长生
,
翁惠民
无机材料学报
采用射频－直流等离子化学气相沉积法制备类金刚石薄膜，用慢正电子湮灭技术研究了类金刚石薄膜中缺陷的深度分布，并系统研究了工艺参数对类金刚石薄膜中缺陷浓度的影响．实验结果表明，单晶Si衬底具有很高的缺陷浓度，类金刚石薄膜中的缺陷浓度较低．且缺陷均匀分布，薄膜表面存在一缺陷浓度较高的薄层，而膜一基之间存在一很宽的界面层，界面层内缺陷浓度随离衬底表面距离的增加而线性降低，到达薄膜心部后，缺陷浓度趋于稳定．类金刚石薄膜的缺陷浓度和膜－基界面层宽度都随负偏压的升高呈先降低、后增加再降低的变化趋势．薄膜中的缺陷浓度随混合气体中C2H2含量的升高而单调增大，但C2H2含量对界面层宽度没有影响．
关键词:
类金刚石薄膜
,
null
,
null
,
null
贾少晋
,
张志成
,
范扬眉
,
张宪峰
,
韩容典
,
都志文
,
翁惠民
功能材料
对掺杂了25份(phr)导电炭黑(CB)的样品进行了正电子湮灭寿命谱的变温测量,在玻璃化转变温度以上,随着温度的增加,自由体积的大小线性增加,在玻璃化转变温度以下,自由体积的大小基本不变.o-Ps的强度在-40℃下基本不变,从-40℃以上开始增加,但在50℃以上上升有加快的趋势.与PTC材料的PTC现象和导电性能有一定的关联.
关键词:
正电子湮灭
,
炭黑
,
PTC
,
自由体积
俞方华
,
杨国华
,
韩荣典
,
翁惠民
,
沈嘉年
金属学报
用离子背散射和慢正电子束研究了活性元素Y和Ce对Fe-25Cr—40Ni合金在高温初期氧化动力学、氧化膜表层成份和微观缺陷结构的影响,实验结果表明了微量活性元素(≥0.05％)在高温氧化初期显著减少了合金的氧化速率,有效地促进了Cr_2O_3的生长,抑制了Fe和Ni氧化物的形成,改善了氧化膜的微观结构,活性元素结合进入氧化膜并在外层膜中(约几十nm)富集,活性元素Ce抗氧化机理不同于Y,Ce使合金氧化膜的空位缺陷显著降低,主要控制了阳离子沿晶格空位向外扩散,而含Y合金由氧化初期主要控制阳离子沿晶格扩散转变为主要控制阳离子沿晶界向外扩散。
关键词:
离子束背散射
,
slow positron beam
,
high temperature oxidation
,
reactive element
,
FeCrNi alloy
