仪修杰
,
陈焕矗
,
程振祥
,
韩建儒
,
曹文武
,
翟剑庞
,
杨长红
,
姜付义
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.014
用Czochralski方法生长出铁电钨青铜型单晶(Sr1-xBax)2NaNb5O15(简称SBNN),晶体沿c轴方向生长.正交-四方相的准同型相界(简称为MPB)存在于x=0.45～0.50之间;SBNN晶体是不一致熔融的化合物,在晶体成长过程中,Sr2+的分凝系数比Ba2+的大,因此具有高浓度Ba2+的SBNN晶体很难生长.晶体的居里温度是243℃,在此温度下的相变是弥散的,随频率的增加,介电常数降低.
关键词:
四方钨青铜
,
Czochralski法
,
准同型相界
,
正交相
,
四方相
姜付义
,
杜伟
,
秦连杰
,
翟剑庞
,
杨长红
,
陈焕矗
,
韩建儒
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.051
在水热条件下,我们利用三次再结晶的方法,生长了耐辐射优质石英晶体.随着再结晶次数的增加,晶体中的杂质浓度和缺陷浓度明显降低,晶体的耐辐射性能明显提高.
关键词:
石英晶体
,
耐辐射
,
水热生长
杨长红
,
王卓
,
姜付义
,
翟剑庞
,
仪修杰
,
韩建儒
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.022
采用sol-gel法在P型Si(111)衬底上制备了Pb0.85Nd0.1TiO3(PNT) 薄膜.用X射线衍射技术研究了退火温度对薄膜结构和结晶性的影响.同时还研究了薄膜的介电、铁电和绝缘性能.结果发现在600℃下退火1h的PNT薄膜呈钙钛矿结构;在0～5V范围内,薄膜的漏电流密度小于1.00×10-5A/cm2;在±5V的偏压范围内,C-V记忆窗口宽度为2V;在零电压下,时间保持长达105～106s; 在室温100kHz下,其介电常数为31.60,介电损耗为0.12.
关键词:
sol-gel法
,
PNT
,
铁电薄膜
