李豪
,
耿永友
,
吴谊群
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00620
研究了AgInSbTe相变薄膜作为一种新的热刻蚀材料的腐蚀特性。采用射频磁控溅射的方法在室温下制备了非晶态AgInSbTe薄膜, 经真空加热退火晶化. 以氢氧化钠溶液作为腐蚀剂, 研究了退火温度、腐蚀剂浓度、腐蚀时间对晶态、非晶态 AgInSbTe薄膜腐蚀特性的影响. 结果表明: 以非晶态形式存在的沉积态AgInSbTe薄膜在0.001 mol/L氢氧化钠溶液中腐蚀速度小于0.04 nm/min, 退火晶化后, 薄膜的腐蚀速度大幅度提高, 晶态和非晶态薄膜的腐蚀选择比随退火温度的升高而增大. 当腐蚀时间为20 min时, 经300℃真空退火的晶态AgInSbTe薄膜比相应非晶态的腐蚀速度高45倍以上. 腐蚀后薄膜表面质量良好(粗糙度<1 nm, 10 μm×10 μm区域). 并对AgInSbTe相变薄膜的腐蚀机理进行了讨论.
关键词:
AgInSbTe相变薄膜; 无机热刻蚀材料; 腐蚀特性
李豪
,
耿永友
,
吴谊群
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00620
研究了AgInSbTe相变薄膜作为一种新的热刻蚀材料的腐蚀特性.采用射频磁控溅射的方法在室温下制备了非晶态AgInSbTe薄膜,经真空加热退火晶化.以氢氧化钠溶液作为腐蚀剂,研究了退火温度、腐蚀剂浓度、腐蚀时间对晶态、非晶态AgInSbTe薄膜腐蚀特性的影响.结果表明:以非晶态形式存在的沉积态AgInSbTe薄膜在0.001 mol/L氢氧化钠溶液中腐蚀速度小于0.04 nm/min,退火晶化后,薄膜的腐蚀速度大幅度提高,晶态和非晶态薄膜的腐蚀选择比随退火温度的升高而增大.当腐蚀时间为20 min时,经300℃真空退火的晶态AgInSbTe薄膜比相应非晶态的腐蚀速度高45倍以上,腐蚀后薄膜表面质量良好(粗糙度<1 nm,10 μm×10 μm区域).并对AgInSbTe相变薄膜的腐蚀机理进行了讨论.
关键词:
AgInSbTe相变薄膜
,
无机热刻蚀材料
,
腐蚀特性