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磷酸钙骨组织工程支架表面微纳米化改性研究

周长春 , 叶兴江 , 肖占文 , 王哲 , 张兴栋

表面技术

目的:研究多孔磷酸钙骨组织工程支架的表面微纳米化改性。方法通过双氧水发泡法制备多孔磷酸钙骨组织工程支架,利用水热法对材料进行微纳米化表面改性。通过扫描电镜观察材料的显微结构,通过 X 射线衍射仪分析测试材料改性层相成分。结果材料改性处理后,孔隙率为(63±8)%,大孔孔径为(310±30)μm。材料表面及内孔壁生成羟基磷灰石微纳米晶粒或晶须,晶须长20~40μm,直径为100~300 nm。结论多孔磷酸钙陶瓷材料的内外表面经水热法处理微纳米化表面改性后,材料性能得到提升。

关键词: 骨组织工程支架 , 多孔磷酸钙陶瓷 , 水热法 , 晶须 , 表面微纳米改性

铝箔交流腐蚀的阴极半周期间表面酸度变化与腐蚀产物膜的形成

肖占文 , 杨邦朝

中国腐蚀与防护学报

建立了一个估算在盐酸溶液中交流电解腐蚀铝箔时阴极半周铝表面液层酸度变化和预测腐蚀膜沉积的数学模型。分析结果表明:电极表面液层酸度仅取决于盐酸本体浓度(Co)、外加阴极电流密度(i appl)和交流电频率(f)如果腐蚀条件满足则Al3+就可能沉淀形成腐蚀产物膜。

关键词: 铝箔 , AC etching , cathodic half cycle , acidity , etch film

交流负半周对高纯铝在盐酸溶液中点蚀行为的影响

肖占文 , 杨邦朝

中国腐蚀与防护学报

研究了阴极下限电位和阴极半周时间对高纯铝在2mol/L HCl 溶液中三角波动电位初期的伏安特性和表面形貌的影响。随阴极下限电位的负移,阳极溶解电流快速减小,腐蚀箔表面蚀坑直径和密度明显降低;但在同一阴极下限电位时,随阴极半周时间的延长,阳极电流则缓慢降低。蚀坑直径无显著变化,蚀坑密度却大提高。当阴极下限电位低于-2.4V vs SCE时,阳极电流首先从一较小值逐渐增大到一最大值,然后随循环数的增加又不断减至很小,腐蚀箔表面可见蚀坑很少。实验结果表明,阴极下限电位是决定铝阳极溶解程度和表面形貌的关键因素,尽管阴极时间也发挥一定的作用;阴极析氢过程对铝的阳极点蚀具有促进和阻阻碍的双重作用。

关键词: , AC etching , cathodic potential , voltammetric characteristics , surface morphology

羟基磷灰石陶瓷表面微沟槽的制备及其对成骨细胞早期行为的影响

王哲 , 肖占文 , 范红松 , 张兴栋

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12093

利用超声探针在铝合金圆片上雕刻微米沟槽图案作为模板,并成功地将此沟槽图案转移到羟基磷灰石(HAP)陶瓷表面上.扫描电子显微镜(SEM)表征结果显示3种沟槽宽度分别为20、40和60μm,与预先设计沟槽的尺寸一致;接触角测量结果表明,沟槽化HAP表面的纯水润湿性随沟槽宽度的减小而明显提高.对体外培养在三种沟槽尺寸HAP表面成骨细胞(MC3T3-E1)的形态观察、细胞核染色计数以及细胞取向角测量统计分析的结果表明,沟槽化的HAP表面具有引导成骨细胞沿沟槽方向铺展的作用,而且这种引导作用随着沟槽变窄而显著增强,但这种引导作用并没有对成骨细胞的早期(30 h)增殖行为产生影响.

关键词: 羟基磷灰石陶瓷 , 表面微沟槽 , 微图案制备系统 , 取向角

电容器用铝箔交流腐蚀理论扩面倍率K的计算机模拟计算*

冯哲圣 , 杨邦朝 , 肖占文

功能材料

建立了YF基元生长模型来模拟腐蚀箔形态,并利用该模型计算了各种形成电压下的理论扩面倍率,所得到的结果介于C.G.Dunn的圆孔模型和永田伊佐也的方孔模型之间.结果显示:目前近高压区(>300V)的实际扩面倍率与理论扩面倍率已很接近,通过电蚀扩面的前景较小,而对于中低压腐蚀箔,单位面积的静电容量的提高余地还很大.

关键词: 铝箔 , 电腐蚀过程 , 模拟 , 表面积

铝箔交流扩面腐蚀中SO42-缓蚀机理的研究

冯哲圣 , 肖占文 , 杨邦朝

中国腐蚀与防护学报

测试了高纯电子铝箔(以下简称铝箔)在2 mol/L HCl和2 mol /L HCl+05 mol/L H2SO4溶液中三角波动电位激励时的电流响应曲线,用Daubechies2 小波对所测得的电流响应曲线进行了时频分解,研究了SO2-4在铝箔交流扩面电蚀 工程中的缓蚀机理.提出了铝箔在含Cl-溶液中点蚀的氧空位侵蚀机理模型,该模型指出 在一定的酸度条件下,在侵蚀膜表面形成的正电荷集中点是Cl-与SO2-4发生特性 吸附的原因;Cl-在侵蚀膜内的主要传输途径是存在于侵蚀膜内微晶晶界上的氧空位链; 进入侵蚀膜内的SO2-4在强场作用下发生离解,离解出的O2-与侵蚀膜内的氧 空位作用,致使氧空位湮灭,切断了Cl-在侵蚀膜内的传输途径,同时由于这种作用调整 了Cl-在侵蚀膜内传输的网络结构,增加了新蚀孔的萌生机率,从而在铝箔电蚀扩面腐蚀 工程中起到了独特的缓蚀作用.

关键词: 铝箔 , AC etching , wavelet analysis , Cl- , SO2- 4 , , mechanism

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