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沉积温度和退火处理对Ba0.5Sr0.5TiO3介电性能的影响

楼均辉 , 林明通 , 陈国荣 , 杨云霞 , 肖田 , 陈晨曦

材料导报

采用射频磁控溅射法在ITO/Corning1737玻璃基片上制备了用于无机EL绝缘层厚约700nm的Ba0.5Sr0.5TiO3介电薄膜,研究了沉积温度和退火处理对薄膜介电性能的影响.实验表明,随着沉积温度的升高,薄膜的介电常数、介电损耗、正反向漏电流密度增加,击穿场强下降.对于在500℃下沉积的薄...

关键词: Ba0.5Sr0.5TiO3 , 薄膜 , 介电性能 , 沉积温度 , 退火处理

无机EL显示器件用高性能介电层的研究

肖田 , 林明通 , 徐毅 , 陈晨曦 , 陈国荣 , 杨云霞

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.02.005

用rf和反应磁控溅射法成功制备了一种总厚度为530～730nm的SrTiO3/Ta2O5复合介电层,获得在500Hz下介电常数为48～73,反映介电损耗的参数ΔVy在0.06～0.15V之间,击穿场强为106～139MV/m,在0.05V/nm的电场下正、反向漏电流在10-9～10-7A/cm2之间...

关键词: 无机EL , SrTiO3薄膜 , Ta2O5薄膜 , SrTiO3/Ta2O5复合膜

电子束蒸发Al2O3/TiO2复合膜及在无机EL中的应用

黄浩 , 肖田 , 张羿 , 林明通

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.014

开发高可靠性的绝缘层薄膜几十年来一直是TFEL显示器研制中的重要努力方向之一.采用双靶脉冲电子束蒸发法制备了Al2O3/TiO2单元结构为10 nm/10 nm、20 nm/20 nm、40 nm/40 nm、总厚度约600 nm的多层复合薄膜,同时采用共蒸发法制备了800 nm的AlxTiyOz复...

关键词: 电子束蒸发 , Al2O3-TiO2复合膜 , 介电性能 , ZnS:Mn器件

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