白红艳
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涂洁磊
,
肖祥江
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付蕊
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赵沛坤
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李烨
人工晶体学报
采用真空电子束蒸发法制备TiO2/SiO2双层减反射膜,实现宽波段范围内的低反射率,以满足砷化镓三结太阳电池对入射光的需求.主要研究了基片温度、电子束流和充氧量对TiO2、SiO2单层膜性能(膜层厚度、折射率)的影响.研究过程中,按照三因素两水平的正交实验进行,用分光光度计对TiO2、SiO2薄膜样品的折射率进行测试.实验结果显示,两种氧化物介质膜的折射率均随基片温度和束流的升高而增加,随氧压的升高而降低,工艺参数对TiO2膜性能影响较大.
关键词:
TiO2/SiO2
,
减反射膜
,
电子束蒸发
,
折射率
白红艳
,
肖祥江
,
涂洁磊
,
赵沛坤
,
陈创业
材料导报
利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)技术生长了双层InAs/GaAs量子点,并将GaInP作为应力补偿层引入到其中,采用原子力显微镜(AFM)对量子点的结构和生长质量进行了表征与分析.实验结果表明,应变补偿层的采用可有效改善第二层量子点质量:(1)面密度最高可达7.5×1010 cm-2,而没有应变补偿层的样品的面密度仅为5.8×1010 cm-2;(2)缺陷岛密度可从不采用应变补偿时的9.6×107 cm-2降低至2.8×107 cm-2;(3)量子点的均匀性和尺寸也明显改善.此外,不同应变补偿层厚度比较实验结果显示,厚度过高或过低的应变补偿层都不能起到很好的补偿作用,取1～3 nm之间为佳;不同GaInP补偿层组分的比较实验结果表明,Ga组分为0.566的样品补偿效果比0.606的样品更好.
关键词:
InAs量子点
,
GaInP应力补偿层
,
厚度
,
组分
肖祥江
,
涂洁磊
人工晶体学报
本文设计并制备了适用于砷化镓(GaAs)多结太阳电池的TiO2/SiO2双层减反射膜,通过实测反射谱来验证了理论设计的正确性.利用编程分析了TiO2、SiO2单层膜的厚度及其折射率对双层膜系反射率的影响.结果显示,在短波范围(300 ～600 nm),TiO2膜厚对反射率的影响要大于SiO2,而SiO2折射率对反射率的影响比TiO2大；在中波范围(600～900 nm),随着单层膜的厚度和折射率的增加,双层膜系反射率存在一个最小值,变化趋势是先降低,而随后增加.同时,计算结果得到SiO2和TiO2的最优物理膜厚分别为78.61nm和50.87nm,此时在短波段中心波长λ1=450nm处最小反射率为0.0034％,在中波段中心波长λ2=750nm处最小反射率为0.495％.采用电子束蒸发法在GaAs基底上淀积TiO2/SiO2双层膜,厚度分别为78 nm和5O nm.实测短波和中波相应的反射率极小值分别为0.37％和2.95％,与理论结果吻合较好.
关键词:
GaAs多结太阳电池
,
TiO2/SiO2双层减反射膜
,
电子束蒸发
,
折射率
