材料期刊网

二次退火制备III-V族半导体量子点

肖虎 , 孟宪权 , 朱振华 , 金鹏 , 刘峰奇 , 王占国

人工晶体学报

利用离子注入法在一块Si(001)衬底上注入了In+和As+,注入能量分别为210 keV,150 keV,注入剂量6.2×1016cm-2,8.6×1016 cm-2,另一块Si(001)衬底上注入Ga+和Sb+,注入能量分别为140 keV,220 keV,注入剂量分别为8.2×1016 cm-...

关键词: 二次退火 , 量子点 , 离子注入