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PVT法SiC单晶生长传热分析

李河清 , 倪代秦 , 吴星 , 胡伯清 , 朱丽娜 , 陈小龙

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.010

研究了PVT法生长SiC过程中的传热行为,以优化生长条件、获得高质量单晶.该研究是针对坩埚盖(籽晶粘附于坩埚盖上)和炉盖之间的传热行为进行的.研究认为,坩埚盖上部石墨毡开孔形状和大小对坩埚盖的径向温度场有很大影响.采用本文简化的模型可以估算坩埚在不同位置下、不同的石墨毡开孔形状和大小时坩埚盖和炉盖之...

关键词: 晶体生长 , SiC , 传热