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胡冬昉 , 黄汉铨 , 黄建宇 , 夏非
金属学报
采用(Si+Mo)合金浸渗反应烧结SiC,以难熔MoSi_2作为第二相取代RB-SiC中的游离Si,从而获得RB-SiC/MoSi_2复合材料.实验结果表明,MoSi_2均匀、连续地分布于SiC颗粒界面处,形成连续网络.界面是由t-MoSi_2和β-SiC两相交错重叠所构成.界面层处未观察到反应层和非晶态物质,过渡层厚约5nm.
关键词: SiC , MoSi_2 , infiltration , sintering , liquid phase