董凤
,
陈少平
,
胡利方
,
樊文浩
,
孟庆森
材料工程
doi:10.11868/j.issn.1001-4381.2015.02.006
采用电场激活扩散连接技术(FADB)实现了AZ31B/Cu的扩散连接.利用SEM、EDS和TEM分析了扩散溶解层的显微组织、相组成和界面元素分布.采用万能试验机对连接界面的抗剪切性能进行了测试.结果表明:AZ31B与Cu通过固相扩散形成了良好的冶金结合界面,扩散温度低于475℃时扩散溶解层由MgCu2、Mg2Cu和MgCuAl组成,此时接头的薄弱环节为Mg2Cu.扩散温度为500℃时扩散溶解层由Mg2Cu、(α-Mg+ Mg2Cu)共晶组织和MgCuAl组成,共晶组织的形成导致接头的抗剪强度进一步降低,并成为新的薄弱环节.当扩散温度为450℃,保温时间为30min时,界面的抗剪强度随保温时间的延长先增大后减小,最大可达40.23MPa.
关键词:
扩散连接
,
电场
,
扩散溶解
,
AZ31B/Cu
程慧玲
,
孟庆森
,
胡利方
,
陈少平
,
雷煜
稀有金属材料与工程
采用FAPAS烧结工艺原位合成了AlMgB14-TiB2复合材料,并分别同步实现了与金属Nb和Mo的扩散连接.利用XRD、SEM和EDS等手段对连接界面扩散层的相组成、微观形貌和元素分布特征进行了分析;探讨了在电场、温度场、压力场多物理场耦合条件下的扩散层形成机制及扩散连接过程.结果表明,A1MgB14-30％(质量分数)TiB2复合材料与金属Nb和Mo可以实现同步合成和扩散连接,形成宽170～180 μm的均匀致密的扩散连接层;TiB2在烧结过程中富集于连接界面,并与金属反应生成金属间化合物;硼元素在浓度梯度作用下的连续扩散和金属间化合物的形成是扩散连接的主要机制.
关键词:
FAPAS
,
AlMgB14-TiB2
,
金属
,
连接
,
界面
董凤
,
陈少平
,
樊文浩
,
胡利方
,
孟庆森
稀有金属
本试验采用电场激活扩散连接技术(FADB)实现了Ti/Ni的扩散连接.研究了Ti/Ni两种材料发生界面扩散反应时新相的生成规律及其对连接强度的影响.利用扫描电子显微镜及能谱仪观察和分析了扩散层的显微组织、相组成和界面元素分布.采用万能试验机对扩散层的抗剪切性能进行了测试.研究结果表明,在电场作用下,Ti与Ni通过固相扩散形成了良好的冶金结合界面,界面处金属间化合物的生成次序依次为Ni3Ti、NiTi2、NiTi.当扩散温度≥750℃时,Ti表现出超塑性和良好的扩散性,促使扩散层中的Ni3Ti转变成富钛层,该富钛层的形成有利于接头强度的提高.界面的剪切强度随着电流的增大而增大,当电流为930～1200A时,界面的剪切强度可达90.54 MPa.
关键词:
电场激活
,
扩散连接
,
相变
,
Ti/Ni
,
剪切强度
秦会峰
,
孟庆森
,
宋永刚
,
胡利方
,
张惠轩
功能材料
对硼硅玻璃与硅进行了阳极键合实验,通过扫描电镜对键合界面的微观结构进行分析表明:玻璃/硅的键合界面有明显的中间过渡层生成;分析认为电场力作用下玻璃耗尽层中的氧负离子向界面迁移扩散并与硅发生氧化反应是形成中间过渡层的主要原因,而界面过渡层的形成是硅/玻璃界面键合实现永久连接的直接原因.
关键词:
阳极键合
,
硼硅玻璃
,
硅
,
过渡区
胡利方
,
秦会峰
,
宋永刚
,
孟庆森
材料导报
固体电解质(玻璃)与硅片通过阳极连接可以实现良好键合.采用SEM和EDS对界面结构进行了分析.连接的过程与由耗尽层产生的静电场力有紧密关系,通过建立的模型分析了电场力产生的原因.实验表明:温度、压力、连接时间、表面光洁度、电压是影响连接质量的重要因素,优化连接参数是形成良好连接界面的前提.
关键词:
Pyrex玻璃
,
硅
,
阳极连接
,
静电场力
宋永刚
,
秦会峰
,
胡利方
,
鲁晓莹
,
孟庆森
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2006.04.002
硼硅玻璃与硅进行阳极键合试验,通过扫描电镜及能谱分析对键合界面的微观结构进行分析,结果表明:玻璃/硅的键合界面有明显的中间过渡层生成;在电场力作用下玻璃耗尽层中的氧负离子向界面迁移扩散并与硅发生氧化反应是形成中间过渡层的主要原因,界面过渡层的形成是玻璃/硅界面键合实现连接的基本条件.
关键词:
阳极键合
,
硼硅玻璃
,
硅
,
过渡区
