王升
,
刘鹏清
,
胡安
,
徐建军
,
叶光斗
高分子材料科学与工程
以纤维级聚苯硫醚(PPS)树脂为原料,采用毛细管流变仪在剪切速率50 s-1～3000 s-1范围内研究了不同光稳定剂对PPS流变行为的影响.结果表明,不同光稳定剂的加入对PPS非牛顿指数影响较小,且随温度升高都趋向于0.9;在剪切速率为0 s-1～487 s-1范围内,PPS会出现"剪切增稠"现象,而光稳定刺炭黑和受阻胺的加入起一定的抑制作用;在高剪切区487 s-1～3000 s-1范围内,PPS结构黏度指数随温度的升高而减小,减小的程度越低,则熔体结构越稳定,可纺性越好;光稳定剂的加入会使PPS的粘流活化能减小.
关键词:
聚苯硫醚
,
光稳定剂
,
流变行为
,
可纺性
王东生
,
于涛
,
游彪
,
夏奕东
,
胡安
,
刘治国
无机材料学报
在室温下,采用射频磁控溅射法在Si衬底上制备了具有高介电常数的LaAlO3薄膜,这是一种新的栅极电介质材料.在高纯O2中经过15min650℃的高温退火后LaAlO3薄膜仍然不晶化,这种热稳定性有利于减小薄膜的漏电流.本工作研究了LaAlO3薄膜的介电性能,其电容等效氧化物厚度为2.33nm,在外加偏压±1V处的漏电流很低,分别为3.73mA/cm2(+1V处)和5.32×10-4mA/cm2(-1V处),两者相差四个数量级.此结果表明,Pt/LaAlO3/Si结构具有良好的单向导电性能. C-V曲线的滞后电压VH=0.09V,界面态密度的值约为8.35×1011cm-2.研究结果表明,在今后的半导体器件的甚大规模集成(ULSI)中,具有高介电常数的LaAlO3薄膜将会是一种极有希望的栅极电介质材料.
关键词:
栅极电介质材料
,
high-k
,
LaAlO3 thin films
王东生
,
于涛
,
游彪
,
夏奕东
,
胡安
,
刘治国
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.01.038
在室温下,采用射频磁控溅射法在Si衬底上制备了具有高介电常数的LaAlO3薄膜,这是一种新的栅极电介质材料.在高纯O2中经过15min 650℃的高温退火后LaAlO3薄膜仍然不晶化,这种热稳定性有利于减小薄膜的漏电流.本工作研究了LaAlO3薄膜的介电性能,其电容等效氧化物厚度为2.33nm,在外加偏压士1V处的漏电流很低,分别为3.73mA/cm2(+1V处)和5.32×10-4mA/cm2(-1V处),两者相差四个数量级.此结果表明,Pt/LaAlO3/Si结构具有良好的单向导电性能.C-V曲线的滞后电压VH=0.09V,界面态密度的值约为8.35×1011cm-2.研究结果表明,在今后的半导体器件的甚大规模集成(ULSI)中,具有高介电常数的LaAlO3薄膜将会是一种极有希望的栅极电介质材料.
关键词:
栅极电介质材料
,
高介电常数
,
LaAlO3薄膜
王东生
,
于涛
,
胡安
,
吴迪
,
李爱东
,
刘治国
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00737
用金属有机物分解法分别制备了SrBi2Ta2O2(SBT)薄膜和粉末样品.XRD和SEM结果显示SBT粉末经历氮氢混合气氛400℃退火处理后发生了还原反应,金属Bj和δ-Bi2O3析出,成针状结构聚集在表面,晶体结构没有被破坏.SBT薄膜在500%退火处理时,表面出现Bi的球形及针状结构聚集体,相对于薄膜结构,SBT粉末中的Bi元素在较低温度时更容易被还原.Bi的大量缺失严重影响薄膜的铁电性能,当退火时间为5.5min时,SBT薄膜剩余极化强度Pτ下降了约43%,但是在109极化反转后仍然保持了良好的抗疲劳特性;退火时间超过8.5min时,薄膜被击穿,铁电性能消失.
关键词:
SBT铁电薄膜
,
氮氢混合气氛
,
还原
,
退化
陈明瀚
,
章维益
,
胡安
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2000.03.004
在低温条件下,随着搀杂浓度的增加,La1-X(Ca,Sr)xMnO3材料在x＝0.5时会发生由铁磁态向反铁磁态绝缘体的相变过程.X-射线和中子衍射实验的研究进一步表明,在x＝0.5时由于自旋、电荷和轨道序的相互作用,形成了La1-x(Ca,Sr)xMnO3材料的Charge-Exchange(CE)型反铁磁结构,因此出现了一些反常的磁学性质.本文对La0.5(Ca,Sr)0.5MnO3材料各种有序相进行了深入的研究.以多带Hubbard模型为基础,我们运用平均场近似和实空间Recursion方法,计算了La0.5(Ca,Sr)0.5MnO3材料中各种轨道序的铁磁态,G-型反铁磁态和CE型反铁磁态的态密度和能量.通过对不同状态之间能量的比较,得出在La0.5(Ca,Sr)0.5MnO3材料中CE-型反铁磁态将是系统最稳定状态的结论.同时对CE-型反铁磁态密度的分析,可以看出由于赝能隙的产生,系统将逐渐向绝缘体转变这一趋势.所有这些结论都和中子衍射和X-射线衍射的实验结果相符合.
关键词:
