赵丽伟
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刘彩池
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滕晓云
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朱军山
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郝秋艳
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孙世龙
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王海云
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徐岳生
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胡家辉
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冯玉春
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郭宝平
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.019
本文采用KOH:H2O=3:20～1:25(质量比)的KOH溶液,对Si基外延GaN进行湿法腐蚀.腐蚀后用扫描电子显微镜(SEM)观察,GaN面出现了六角腐蚀坑,它是外延层中的位错露头,密度约108/cm2.腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明GaN外延生长过程中位错密度是逐渐降低的,部分位错因相互作用而终止于GaN体内.观察缺陷腐蚀形貌还发现,接近裂纹处腐蚀坑的密度要高于远离裂纹处腐蚀坑的密度,围绕裂纹有许多由裂纹引起的位错.腐蚀坑的密度可以很好地反映GaN晶体的质量.晶体质量较差的GaN片,腐蚀后其六角腐蚀坑的密度高.
关键词:
GaN
,
湿法腐蚀
,
六角腐蚀坑
,
SEM
