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GaAs霍尔开关集成电路的研制

胡少坚 , 夏冠群 , 冯明 , 詹琰 , 陈新宇 , 蒋幼泉 , 李拂晓

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.01.010

成功地设计并制造出 GaAs MESFET霍尔开关集成电路.该电路采用了方形霍尔元件,绝对 灵敏度为 704mV/T;信号处理电路由差分放大电路和触发电路组成,触发电路结构类似于 SCFL 的 D触发器.结果表明,开关性能良好,工作点合理,达到设计要求.实验结果还表明,霍尔元件 和放大电路可构成灵敏度很高的霍尔线性集成电路.

关键词: 霍尔效应 , 磁传感器 , 开关 , GaAs , 集成电路

GaAs霍尔元件不等位电势的调制消除

冯明 , 夏冠群 , 胡少坚

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.012

测试了 MESFET工艺条件下制作的霍尔片的基本性能.对设计出的 GaAs集成霍尔元件进 行了不等位电势的测试,采用霍尔元件并联和自旋电流的方法对 GaAs方形霍尔元件的不等位电 势进行了静态和动态调制消除.实验结果表明 GaAs霍尔元件的不等位电势引起的偏差可以控制 在可以忽略的范围内.

关键词: 霍尔效应 , 磁传感器 , 不等位电势

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