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PECVD工艺参数对双层SiNx薄膜性能的影响

周艺 , 欧衍聪 , 郭长春 , 肖斌 , 何文红 , 胡旭尧

材料科学与工程学报

采用PECVD法在多晶硅基底上沉积双层SiN；薄膜，研究了工艺参数对其膜厚、折射率、沉积速率、HF腐蚀速率及光电性能等的影响，并提出了优化的SiNx减反膜PECVD制备工艺。研究发现：衬底温度、射频频率、射频功率、腔室压力对SiNx薄膜性能均有重要影响，且优化工艺后的双层SiNx薄膜能有效提高多晶硅太阳电池光电性能。

关键词: 双层SiNx , 减反膜 , 工艺参数 , 薄膜性能