刘明霞
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胡永峰
,
马飞
,
徐可为
金属学报
以模板效应为手段,
在单晶Si--(100)基片上借助预先沉积的Mo膜成功制备出共格
生长的α--W薄膜.
用X射线衍射、场发射扫描电镜和高分辨透射电镜分析薄膜微结构, 用偏
振相位移技术分析残余应力, 用四点探针技术分析电阻率. 结果表明:
Mo模板诱导下共格生 长出的α--W膜为等轴晶,
Si基底上则为亚稳态β--W的非等轴晶. 两组样品的电
阻率和残余应力均随膜厚降低而升高, 但β--W膜归因于晶粒尺寸减小,
即晶界的大量增加; 而β--W/Mo双层膜归因于两者之间共格界面的约束作用,
当膜厚减至数十纳米后尤其如此.
关键词:
钨膜
,
template effect
,
size effect
,
residual stress
,
electric resistance
