王矜奉
,
陈洪存
,
王文新
,
苏文斌
,
臧国忠
,
亓鹏
,
王春明
,
赵春华
,
高建鲁
功能材料
烧渗银电极对压敏电阻的性能是有很大影响的.为了弄清Ag对(Co、Nb)掺杂的新型SnO2压敏材料电学性质的影响,做了组分为SnO2+1.50%CoCl2*6H2O+0.10%Nb2O5+x%Ag2O(x=0.00、0.02、0.50和1.00)的系统实验.当AgO的含量从0.00增加到1mol%时,(Co, Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从349V/mm增大到429V/mm,1kHz时的相对介电常数从2240减小到1560.晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压急剧增高和介电常数迅速减小的主要原因.对Ag掺杂量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释.
关键词:
氧化银
,
二氧化锡
,
势垒
,
电学非线性
王春明
,
王矜奉
,
陈洪存
,
王文新
,
苏文斌
,
臧国忠
,
亓鹏
功能材料
研究了Na对新型(Co, Nb)掺杂SnO2压敏材料微观结构和电学性质的影响.当Na2CO3的含量从0增加到1.2mol%时, (Co, Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从275V/mm增到919V/mm.样品的微观结构分析发现,当Na2CO3的含量从0增加到1.2mol%时,SnO2的晶粒尺寸明显的变小.晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是压敏电压急剧增高的原因.对Na含量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释.掺杂0.4mol% Na2CO3的SnO2压敏电阻非线性系数达28.4,击穿电压为755V/mm,掺杂1.2mol% Na2CO3的SnO2压敏电阻非线性系数为11.5,击穿电压高达919V/mm,它们在中高压保护领域会有很好的应用前景.本文并指出替代Sn的受主离子Na不应处于SnO2晶格中,而是处于间界上,从而进一步解释了压敏电压急剧增高的原因.
关键词:
碳酸钠
,
二氧化锡
,
压敏材料
,
肖特基势垒
,
压敏电压
臧国忠
,
王矜奉
,
陈洪存
,
苏文斌
,
王文新
,
亓鹏
,
王春明
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.01.018
研究了Cr对(Co,Ta)掺杂的SnO2压敏材料电学性质的影响.当Cr2O3的含量从0增加到0.15mol%时,(Co,Ta)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从206V/mm增加到493V/mm;1kHz时的相对介电常数从1968猛降至498;晶界势垒高度分析表明,SnO2晶粒尺寸的迅速减小是样品击穿电压增高、相对介电常数急剧降低和电阻率迅速增大的主要原因.对Cr含量增加引起SnO2晶粒减小的原因进行了解释.掺杂0.15mol% Cr2O3的SnO2压敏电阻非线性系数为24,击穿电压达498V/mm,在高压保护领域有很好的应用前景.
关键词:
压敏电阻
,
二氧化锡
,
势垒高度
,
非线性系数
王文新
,
王矜奉
,
陈洪存
,
苏文斌
,
臧国忠
,
王春明
,
亓鹏
功能材料
通过实验对三氧化二铟掺杂的SnO2*Co2O3*Nb2O5压敏电阻的性能进行了研究.所用样品是在1350℃下烧结1h而制成的.实验发现所有样品都具有很高的致密度(相对密度不小于97.6%),这主要是由于Co2O3影响陶瓷的烧结过程造成的.当In2O3掺杂量为0.05mol%时,压敏电阻具有最高的非线性系数(α=19.3).随着In2O3掺杂量的从0.00mol%增加至0.10mol%,非线性电场强度从213V/mm增加至815V/mm,而平均晶粒尺寸从6.6μm减小至4.9μm,非线性电场的增加与平均晶粒尺寸的减小密切相关;样品的相对介电常数也从2307减小至153,这归因于平均晶粒尺寸与势垒厚度比的减小.
关键词:
压敏材料
,
非线性系数
,
二氧化锡
,
电学性能
明保全
,
王矜奉
,
陈洪存
,
苏文斌
,
臧国忠
,
高建鲁
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.01.008
研究了掺杂 CuO对 SnO2· Ni2O3· Ta2O5压敏材料电学性能的影响.实验发现,随着 CuO的 掺杂量从 0.50mol%增加到 1.50mol%,材料的压敏电场强度从 132V/mm升高到 234V/mm,相对 介电常数从 4663减小到 2701.电场强度变化的原因是 CuO掺杂引起的晶粒尺寸变化,随掺杂量 增加晶粒尺寸从 18.8μ m减小到 13.3μ m.未固溶于 SnO2晶格而偏析在晶界上的 CuO阻碍了相 邻 SnO2晶粒的融合 ,这导致了晶粒尺寸的减小.为了解释 SnO2· Ni2O3· Ta2O5· CuO电学非线性 性质的起源,本研究对前人的晶界缺陷势垒模型进行了修正.对该压敏材料进行了等效电路分析, 实验测量与等效电路分析结果相符.
关键词:
压敏材料
,
SnO2
,
电学性能
,
晶粒尺寸
,
缺陷势垒模型
周亚鹏
,
周锋子
,
臧国忠
,
王银强
,
董元浩
,
李立本
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.07.007
用固相反应法分别合成了 Zn2 SnO 4、Ba-TiO 3粉体,用传统陶瓷制备工艺制备了 Zn2 SnO 4掺杂的 BaTiO 3陶瓷(ZS-BT),研究了掺杂量变化对 Ba-TiO 3陶瓷介电性能的影响。研究发现,适量的Zn2 SnO 4掺杂可促进 BaTiO 3陶瓷的烧结,降低 Ba-TiO 3陶瓷的介电损耗；随着掺杂量的增加,BaTiO 3陶瓷的介电居里峰逐渐降低弥散,并向低温方向移动；在测量频率范围内(102~109 Hz),Zn2 SnO 4掺杂使得介温曲线在40~125℃温度区间内变得平坦,当Zn2 SnO 4的掺杂比例为2％时,介电常数变化率低于8％。这些结果表明,ZS-BT 陶瓷对研究温度稳定性良好的陶瓷电容器有着重要的意义。
关键词:
钛酸钡
,
锡酸锌
,
介电性能
初瑞清
,
郝继功
,
徐志军
,
臧国忠
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01164
采用传统陶瓷烧结工艺制备了(K0.5Na0.5)0.94-2xLi0.06SrxNb0.98Sb0.02O3无铅压电陶瓷,研究了陶瓷的结构、烧结特性及电性能特征.研究结果表明:制备的KNLSN-Srx陶瓷为单一的具有四方相的钙钛矿结构,SEM照片巾可以看出材料的平均晶粒尺寸随着Sr掺入量的增加逐渐变大,陶瓷的烧结温度随Sr掺入量的增加而升高,Li,Sr和Sb掺杂(K0.5Na0.5)NbO3后,材料的压电系数d33、平面机电耦合系数kp得到提高,同时介电损耗tanδ和机械品质因子Qm降低,Sr掺入量在2mol%时各项性能最佳(d33=130pC/N,kp=34.5%,tanδ=4.2%).
关键词:
无铅压电陶瓷
,
铌酸钾钠
,
介电常数
,
压电常数
梅方
,
李立本
,
臧国忠
功能材料
通过传统陶瓷制备工艺制备了致密的SnO2-Zn2SnO4复合陶瓷，研究了不同SnO2、Zn2SnO4复合比例对陶瓷介电性质的影响及其高介电性质产生的机理。研究发现，40Hz时，该复合陶瓷的相对介电常数高达10^4，远高于SnO^2、Zn2SnO4陶瓷，且样品的相对介电常数、导纳随组分的变化规律一致。进一步研究发现，样品的电容随着施加偏压的变化满足肖特基势垒电容公式，这表明，SnO2-Zn2SnO4复合陶瓷的高介电行为起源于晶界处的双肖特基势垒。
关键词:
介电性质
,
复合陶瓷
,
肖特基势垒
,
SnO2
