张冠杰
,
舒永春
,
皮彪
,
邢小东
,
林耀望
,
姚江宏
,
王占国
,
许京军
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.003
通过固态源的分子束外延系统生长了调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和InP/InP外延材料.在生长含磷材料之后,生长条件(真空状态)变差;我们通过采取合理的工艺方法和生长工艺条件的优化,获得了电子迁移率为1.86×105cm2/Vs(77K)调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和电子迁移率为2.09×105cm2/Vs(77K)δ-Si掺杂AlGaAs/GaAs结构材料.InP/InP材料的电子迁移率为4.57×104 cm2/Vs(77K),该数值是目前国际报道最高迁移率值和最低的电子浓度的InP外延材料.成功地实现了在一个固态源分子束外延设备交替生长高质量的调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和含磷材料.
关键词:
兼容性
,
调制掺杂GaAs
,
InP/InP外延材料
,
高电子迁移率
,
分子束外延
,
固体磷源
黄晖
,
许京军
,
孔勇发
,
张国权
,
舒永春
,
孙军
,
徐晓轩
,
张光寅
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.038
研究了铌酸锂晶体沿c轴的真实生长界面及腐蚀坑模式,在两种情况中均观察到了明显的塞尔宾斯基(Sierpinski)三角垫分形几何特征,两种情况的分形维度通过计算得出均为ln3/ln2≈1.58.
关键词:
铌酸锂晶体
,
塞尔宾斯基(Sierpinski) 三角垫
,
分形几何
孙军
,
孔勇发
,
李兵
,
张玲
,
刘士国
,
黄自恒
,
瓮松峰
,
舒永春
,
许京军
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.006
分析了提拉法晶体生长过程中影响滞后变化的因素,采用传统PID调节器和计算机辅助控制相结合的办法,解决了铌酸锂晶体生长过程中的精确等径控制问题,并在大直径铌酸锂晶体生长应用中取得了满意的效果.生长的76mm直径的铌酸锂晶体,生长条纹问题得到很大改善,光学均匀性提高了一个量级以上.
关键词:
等径控制
,
铌酸锂
,
晶体生长
,
光学级
张冠杰
,
舒永春
,
皮彪
,
姚江宏
,
林耀望
,
舒强
,
刘如彬
,
王占国
,
许京军
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.004
对分布布拉格反射镜(DBR)的原理和特征进行了分析,使用传输矩阵方法计算了不同对数GaAs/AlAs反射镜的反射率曲线.利用分子束外延(MBE)设备生长了波长为920nm和980nm的半导体多层膜DBR反射镜,分析了实验测得的反射谱与理论拟合曲线之间的差异及其产生原因,实现了材料的优化生长,获得了反射率大于99%、中心波长和带宽接近理论计算值的DBR材料.该DBR的反射谱拟合与优化生长研究可应用于VCSEL和VECSEL激光器.
关键词:
分布布拉格反射镜
,
理论计算
,
优化生长
,
高反射率
曹雪
,
舒永春
,
叶志成
,
皮彪
,
姚江宏
,
邢晓东
,
许京军
人工晶体学报
本文建立了采用分子束外延法制备InGaP/GaAs异质结构的热力学模型,其中考虑了两个重要的因素,由晶格失配引起的内在应力和InP的脱附.所得到的模型与现有实验结果匹配较好.该模型的实验结果表明在InGaP的生长过程中,生长温度,In/Ga束流比及合金组分之间的相互关系,同时也与实验数据相吻合.该模型对于其他气相沉积生长方式也具有一定的适用性.
关键词:
热力学
,
固态源分子束外延
,
InGaP
,
GaAs
,
异质结构
李钒
,
方克明
,
何季林
,
潘伦桃
,
舒永春
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.04.012
本研究利用定位镶嵌包埋制样技术,对团化烧结造粒后的电容器级钽粉进行了解剖.通过SEM与EDS进行了形貌观察和成分分析,并对样品进行了TEM观察,结果表明电容器级钽粉为孪晶亚稳结构,主要杂质元素为氧.
关键词:
电容器级钽粉
,
显微形貌
,
显微结构
许文江
,
潘伦桃
,
王向东
,
舒永春
,
毛襄萍
,
施文峰
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1999.05.007
用阿基米德法测定了氟钽酸钾及其与氯化钠、氯化钾、氟化钠、氟化钾等混合熔盐体系在熔融状态下的密度, 用线性回归分析方法导出了各熔盐体系的密度与温度的关系. 熔盐体系的密度和温度有良好的线性关系, 混合熔盐体系中密度大的组分含量高时, 该混合熔盐的密度也较大.
关键词:
氟钽酸钾
,
密度
,
阿基米德法
