吴中亮
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马瑞新
,
艾琳
,
汪春平
,
孙鹏
,
张亚东
,
康勃
,
王目孔
材料导报
作为半导体用的铜靶材,其晶粒大小严重影响溅镀薄膜的品质,靶材晶粒的细化技术成为关键.依据转底炉法原理制备了一种片状铜,并对其晶粒尺寸的变化进行了研究,通过分析发现:坩埚底孔直径越小,底转盘转速越快,底转盘传热越好;在底转盘冷却效果好的情况下,下落点离底转盘的边缘越近,铜带的晶粒越小.
关键词:
转底炉法
,
铜带
,
晶粒尺寸
常新安
,
艾琳
,
臧和贵
,
肖卫强
,
涂衡
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.046
本文以三氟乙酸作为掺质,分别按4.4mol%、9.4mol%、13.4mol%、18.4mol%的配比进行了掺质TGS晶体生长,并对其作X射线粉末衍射分析及晶体热释电性能的测试.结果表明,三氟乙酸的掺入虽然使热释电性能有一定程度下降,但却使得晶体铁电-顺电相转变延迟,提高了晶体的居里点,并产生了一定的内偏压场.
关键词:
三氟乙酸
,
TGS晶体
,
晶体生长
,
居里点