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纳米SiC粒子对(BiPb)_2Sr_2Ca_2Cu_3O_(10+δ)超导体磁通钉扎性能的增强

苏晓东 , 阳宗全 , 王永忠 , 张成 , 花凌 , 汤洪 , 乔桂文

金属学报

在(BiPb)2Sr2Ca2Cu3O(10+δ)/nano—SiC复合材料中,纳米SiC粒子掺加适量时可在5K的低温下有效地钉扎磁通,并在77K的较高运行温度下仍能抑制超导体的热激活磁通蠕动,成为有效的磁通钉扎中心,但对临界转变温度无多大影响.

关键词: 纳米SiC , Bi2223 superconductor , flux pinning

衬底温度对钇稳定氧化锆薄膜择优生长的影响

文波 , 苏晓东

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2008.02.004

使用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(100)衬底上沉积钇稳定的氧化锆(YSZ)薄膜,用XRD分析薄膜的结晶取向,SEM和AFM观测薄膜表面形貌,研究了在200-650℃的不同衬底温度下薄膜的择优生长.结果表明:衬底温度较低的YSZ薄膜为非晶组织,衬底温度为300-500℃时YSZ晶粒以表面能低的(111)面首先择优生长,衬底温度超过550℃后晶粒活化能提高而使表面能较高的(100)晶粒择优生长.YSZ薄膜是典型的岛状三维生长模式,较高的衬底温度有利于原子在衬底表面迁移和重排结晶长大.同其它沉积技术相比,用PLD技术能在比较低的衬底温度下在Si(100)表面原位外延生长出较高质量的YSZ薄膜.

关键词: 无机非金属材料 , YSZ薄膜 , PLD沉积 , 择优生长 , 衬底温度

ITO/PZT-Ag2O/Pt铁电薄膜的光伏特性

代智华 , 鲍育文 , 张婧娇 , 苏晓东 , 章灵军

材料研究学报

研究了在透明导电ITO玻璃衬底上制备PZT-Ag2O铁电薄膜的工艺条件,并测量和表征了在不同衬底温度下生长的薄膜的相结构、表面形貌、铁电性能和光电特性.结果表明:在ITO玻璃衬底上可制备出铁电性能较好的PZT-Ag2O铁电薄膜;ITO/PZT-Ag2O/Pt铁电器件实现了可见光响应,其短路光电流和开路电压随极化电压的变化呈回线关系;产生这一现象的物理机制为:光生短路电流和开路电压的大小取决于退极化场和界面肖特基势垒的综合作用,不同的外加极化电压在PZT薄膜诱导出强度不同的退极化场,从而使光生短路电流和开路电压与外加极化电压呈回线型关系.

关键词: 无机非金属材料 , pZT-Ag2O薄膜 , ITO玻璃衬底 , 电滞回线 , 光伏特性

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