刘振华
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臧春雨
,
贾志旭
,
苏晶
,
唐秀杰
,
王传志
,
郝新焱
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刘海南
人工晶体学报
采用Bridgman方法在氩气氛保护的单晶炉内生长出了Ce3+掺杂的以及Ce3+和Eu3+共掺的CaF2晶体,利用Ce2O3和E2O3分别与氢氟酸反应合成了CeF3和EuF3掺杂试剂,对掺杂晶体生长的起始原料-特定组成的CaF2、CeF3、EuF3混合物进行了高温氟化处理,确定了掺杂晶体的物相,讨论了掺杂浓度对晶体紫外波段透过率的影响.此外,还初步分析了Ce3+和Eu3+共掺的CaF2晶体作为紫外滤光材料的可行性.
关键词:
稀土掺杂
,
Bridgman方法
,
光学特性
,
紫外滤光
苏晶
,
刘玉荣
,
莫昌文
,
简平
,
李晓明
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132803.0315
氧化锌基薄膜晶体管(ZnO-TFT)器件的性能受到多种因素的影响,如半导体有源层、栅介质层的质量、栅介质与有源层的界面质量,其中有源层的质量起到至关重要的作用,而在影响器件有源层方面,制备方法是其中一个重要的因素.目前,已有多种ZnO半导体有源层制备技术应用于ZnO-TFT的制备(如原子层沉积、脉冲激光沉积、射频磁控溅射、溶液法等).为了更直观地了解各种制备技术所获得的ZnO-TFT器件性能的优劣,并让研究者在选择制备技术时有所参考,文章概述了各种有源层制备技术的特点,并比较了这些制备方法所制备的ZnO TFT器件性能.通过对比各器件性能参数可以发现,脉冲激光沉积和射磁控溅射所制备的ZnO有源层具有较优的性质,并被广泛使用.文章还对ZnO-TFT的优化方法做了简单介绍.
关键词:
氧化锌
,
薄膜晶体管
,
有源层
,
制备方法
