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电子束辐照下单壁碳纳米管的结构不稳定性

苏江滨 , 孟焘 , 李论雄 , 王占国 , 朱贤方

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.01.059

利用透射电镜(TEM)原位观察了一端固定一端自由和两端固定的单壁碳纳米管(SWNT(s))在电子束辐照下的结构不稳定性.研究发现,一端固定一端自由的SWNT优先轴向和径向收缩后颈缩,最后形成一个个碳笼紧密相连的收缩结构("碳笼-碳笼"结构);两端固定的SWNT仅径向收缩后颈缩,最后形成许多碳笼相连的类似结构.此外,后者在电子束辐照下断开后又会重新粘合起来,表现出很强的表面塑性流变或湿润效应.这些电子束辐照诱导SWNTs非热激活结构不稳定性现象可以用我们最近提出的表面纳米曲率效应和能量束超快诱导软模和点阵失稳进行全新、全面、正确的解释.

关键词: 单壁碳纳米管 , 电子束辐照 , 结构不稳定性 , 表面纳米曲率效应 , 能量束超快诱导软模和点阵失稳

金属电阻率Cu/Cu2O半导体弥散复合薄膜的制备及其偏压效应

刘阳 , 马骥 , 唐斌 , 蒋美萍 , 苏江滨 , 周磊

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.03.038

采用平衡直流磁控溅射技术,通过改变衬底偏压在玻璃衬底上制备了Cu/Cu2O弥散复合薄膜,并利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、四探针测试仪和紫外-可见分光光度计等进行表征与分析.研究发现,Cu/Cu2O弥散复合薄膜表现出金属和半导体双特性,其电阻率范围为(5.23~9.98)×10-5 Ω·cm,禁带宽度范围为2.23~2.47 eV.同时,研究还发现衬底偏压对Cu/Cu2O弥散复合薄膜的形貌、结构、电学和光学性能都产生了较大的影响,特别是当衬底偏压为-100 V时薄膜样品的表面最为致密,结晶程度最好,电阻率最低,禁带宽度最窄.进一步地,对平衡磁控溅射过程的偏压效应进行了分析,并提出了两种区别于传统轰击和再溅射作用的新机制.

关键词: Cu/Cu20 , 弥散复合薄膜 , 磁控溅射 , 衬底偏压 , 电阻率 , 禁带宽度

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