郭振宇
,
赵浩
,
刘继明
,
苏超
有色金属工程
doi:10.3969/j.issn.2095-1744.2012.05.010
介绍城门山铜矿二期扩建选矿自动化控制DCS系统的功能设计、网络结构、硬件和软件配置、人机界面应用与维护.阐述系统集成技术要点和过程控制回路应用的控制策略.实践证明,采用的自动化控制系统,在生产过程集中监控方面取得了较好的效果,系统运行稳定、操作方便,实现了优化选矿流程,降低劳动强度,提高生产管理效率的目的.
关键词:
选矿自动化
,
DCS
,
设计
,
应用
何茂刚
,
齐雪涛
,
刘向阳
,
苏超
工程热物理学报
本文在收集了制冷剂R11、R12、R13、R22、R23、R32、R13B1、R113、R114、R123、R124、R125、R134a、R141b、R142b、R143a、R152a、R227ea、R236ea、R236fa、R245ca、R245fa、R1234yf、R1234ze及其二元和三元混合物黏度数据的基础上,结合自由体积理论和混合法则建立了一种可以计算制冷剂及其混合物黏度的推算模型.对于纯质制冷剂的黏度,模型预测值与实验值之间的相对偏差绝对平均值小于1.5％,最大相对偏差绝对值小于3.1％.对于制冷剂二元和三元混合物的黏度,模型预测值与实验值之间的相对偏差绝对平均值小于3.6％,最大相对偏差绝对值小于7.5％.
关键词:
黏度
,
制冷剂
,
混合物
,
自由体积理论
李海凤
,
牛玉超
,
苏超
,
王志刚
,
陈莎莎
,
孙希刚
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2009.05.025
为进一步了解工艺参数对溅射膜沉积的影响,开展了不同工作气体压强、不同溅射功率和有无负偏压条件下的Zr、Cu、Ni单金属溅射膜和Zr-Cu、Zr-Ni二元合金溅射膜的溅射沉积实验.使用称重法,分析了溅射膜沉积量随工作气体压强、溅射功率的变化规律;通过分层溅射和共溅工艺实验,对比了相同溅射功率下Zr与Cu、Zr与Ni元素间分层溅射膜和共溅膜的沉积量;采用扫描电子显微镜,分析、研究了溅射过程中负偏压对Cu溅射膜膜层生长方式的影响.结果表明,由于工作气体压强对电子与气体分子以及对靶材原子与气体分子碰撞几率的影响,使得膜层的沉积量不是随着工作气体压强的升高单纯地呈下降趋势,而是有一最佳压强范围;随着溅射功率的增大,膜层沉积量增加,在溅射功率相等的条件下,由于辉光放电电场叠加增大了工作气体的离化率,使得共溅膜比分层溅射膜的沉积量大得多;溅射过程中施加较高负偏压可以抑制柱状结构生长,细化晶粒,提高膜层致密度.
关键词:
磁控溅射
,
工作气体压强
,
溅射功率
,
沉积量
,
负偏压
李海凤
,
牛玉超
,
苏超
,
王志刚
,
王献忠
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2009.02.017
为了研究溅射工艺对膜-基间结合力的影响,获得成本较低、膜-基间结合较好的表层导电薄膜电磁屏蔽材料,利用磁控溅射镀膜方法在Al箔基体上溅射沉积Cu膜,采用胶粘带拉剥法测试了膜-基间的结合力,使用扫描电子显微镜观察了Cu膜的组织和Al/Cu的界面形貌.结果表明:溅射工艺对膜-基间的结合力有着明显的影响,镀Cu前对Al箔进行反溅射和在溅射沉积过程中对工件施加负偏压都可有效地提高膜-基间的结合力.分析认为:镀Cu前反溅射可有效地去除Al箔表面的氧化膜,使Al箔表面得到净化;在磁控溅射沉积过程中对工件施加较高负偏压将产生辉光放电,使工艺转化成溅射离子镀,从而获得与基体结合良好、晶粒细小、致密的镀层.
关键词:
电磁屏蔽
,
磁控溅射
,
Al箔
,
Cu膜
,
负偏压
,
结合力
刘向阳
,
苏超
,
贺凯
,
何茂刚
工程热物理学报
本文基于流动型量热法建立了一套适用于测量高温高压下比定压热容的实验系统,通过改进传统流动型量热器的管路布置及合理的系统结构设计,使该系统温度、压力适用范围为:293～673 K、0.1～30 MPa.该实验系统温度、压力、比定压热容的测量不确定度分别小于±0.05 K、±13 kPa、±0.98％.为了验证实验系统的测量精度和可靠性,测量了温度为296～313 K、压力为0.1～6 MPa范围内纯水的比定压热容,与文献值的相对偏差小于1％.本文还对温度在355～666K、压力在1～23 MPa范围内的高温高压水的比定压热容进行了测量.
关键词:
比定压热容
,
流动型
,
水
,
高温高压
