孙汪典
,
苗银萍
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2007.04.019
以ZnS和Mg粉末为原料,采用真空蒸镀技术在ITO玻璃上成功地制备了宽禁带三元化合物Zn0.9Mg0.1S多晶薄膜.原子力显微镜和X射线衍射研究表明:薄膜生长形貌和结晶性能良好,为择优取向的立方闪锌矿结构,晶粒直径约20nm,薄膜的X射线衍射峰较之ZnS的衍射峰向大角度方向移动了0.46°;室温下的拉曼谱峰相对于ZnS的拉曼谱峰出现蓝移,且347.67cm-1谱峰比较强;光致发光谱显示,Zn0.9Mg0.1S薄膜在410nm处有一个较强的发光峰.良好的结晶质量和发光特性为开发多功能材料和器件提供了可能性.
关键词:
Zn0.9Mg0.1S多晶薄膜
,
真空蒸发
,
晶体结构
,
拉曼光谱
,
光致发光
孙汪典
,
苗银萍
,
朱祯
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.028
利用双靶磁控溅射法,在普通石英玻璃基底上成功制备出Ⅱ-Ⅵ族化合物固溶体半导体Zn1-xMgxS多晶薄膜,并用X射线能量色散谱仪(EDS)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见(UV-Vis)分光光度计、荧光分光光度计(PL)等测试手段表征了多晶薄膜的成份、表面形貌、晶体结构和光学性质.结果表明:磁控溅射法制备的Zn1-xMgxS多晶薄膜具有立方和六方相混晶相结构,晶粒生长均匀,薄膜在波长小于280nm的紫外区有强烈的吸收,在可见光区紫光范围有一个强的发光峰,而且随着Mg含量的增加,强度增加,吸收边和发光峰的蓝移也增加.蓝移说明了带隙的展宽,其禁带宽度大约从3.6eV增至4.4eV.较高的结晶质量和发光特性显示了它是一种制作短波光电器件和紫外探测器的理想材料.
关键词:
Zn1-xMgxS多晶薄膜
,
磁控溅射
,
晶体结构
,
紫外吸收
,
光致发光
