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nc-Si:(Al2O3+SiO2)复合膜的制备及其热电特性

郝培风 , 高斐 , 苗锟 , 刘立慧 , 孙杰 , 权乃承 , 刘晓静 , 张君善

人工晶体学报

采用真空热蒸发技术在石英玻璃衬底上蒸镀约400 nm的铝膜,并在空气中580 ℃的条件下退火1 h.在退火过程中Al与石英中的SiO2反应形成纳米硅nc-Si: (Al2O3+SiO2)复合膜.利用X射线衍射(XRD)、拉曼散射(Raman)及扫描电镜(SEM)等方法研究了薄膜的结构特性.测得膜厚约为760 nm,估算出薄膜中纳米硅(nc-Si)的平均尺寸约为25 nm.实验发现该nc-Si: (Al2O3+SiO2)复合膜有热电特性,研究了其电阻率及Seebeck系数随温度(293 ~413 K)的变化关系,在293 K和413 K该薄膜的Seebeck系数分别约为-624 μV/K和-225 μV/K.

关键词: 热电薄膜 , nc-Si:(Al2O3+SiO2)复合膜 , 热蒸发 , Seebeck系数

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